Dispositivos

Informe 7:
1. Presentar en un cuadro los valores medidos en la práctica, compárelos con los valores teóricos y calcule los respectivos errores, justifique los mismos.
Circuito 1:Determinación de pines:
Debido a la forma física de cómo esta creado un transistor bipolar de juntura npn (base-tamaño mediano, emisor pequeño, colector mas grande) el voltaje en el VCB deberá ser ligeramentemas pequeño que el de VBE, entonces tenemos:

La región a la izquierda de VCE<sat> corresponde a la región de saturación.

Con el uso de nuestro multímetro observamos que teníamos unVCE=0.121[V]
Entonces tuvimos que cambiar nuestra resistencia de 56KΩ por una de 680KΩ y logramos mejorar nuestro VCE=4.18[V]
Una vez corregido nuestro circuito obtuvimos los siguientes datos:
ValoresMedidos:
β=220 |
V B [V] | 5.73 |
V E[V] | 5.13 |
V C[V] | 9.20 |
V BE[V] | 0.7 |
V CE[V] | 4.18 |
V BC[V] | -3.47 |
I B[μA] | 12.5147 |
I E[mA] | 2.77 |
I C[mA] | 2.765 |
ValoresTeóricos:
Realizado los cálculos con β=220,y la resistencia corregida tenemos:
Cálculos:

Valores teóricos |
V B [V] | 6.2 |
V E[V] | 4.5 |
V C[V] | 8.50 |
V BE[V] | 0.7 |
VCE[V] | 4.26 |
V BC[V] | -3.12 |
I B[μA] | 1.2541 |
I E[mA] | 2.7716 |
I C[mA] | 2.759 |

Errores:
Valores | Teóricos | prácticos | Error porcentual (%) |
V B [V] | 6.2 | 5.73 | 7.58 |V E[V] | 4.5 | 5.13 | 12.22 |
V C[V] | 8.50 | 9.20 | 7.6 |
V BE[V] | 0.7 | 0.7 | 0 |
V CE[V] | 4.26 | 4.18 | 1.877 |
V BC[V] | -3.12 | -3.47 | 10.008 |
I B[μA] | 1.2541 | 12.5147 | 0.2 |I E[mA] | 2.7716 | 2.77 | 0.165 |
I C[mA] | 2.759 | 2.765 | 0.21 |

Circuito 2:

Valores Medidos:
β=220 |
V B [V] | 5.93 |
V E[V] | 5.27 |
V C[V] | 7.35 |
V BE[V] | 0.7 |
V CE[V] |2.07 |
V BC[V] | -1.35 |

Valores Teóricos:

Valores teóricos |
V B [V] | 5.9 |
V E[V] | 5.15 |
V C[V] | 7.2 |
V BE[V] | 0.7 |
V CE[V] | 1.83 |
V BC[V] | -1.42...