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PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES
Parámetro N˚ atómico Peso molecular Densidad Densidad molecular o atómicaDensidad de estados permitidos, electrones Densidad de estados permitidos, huecos Masa efectiva electrón Masa efectivahuecos Anchura banda prohibida a 0˚K Anchura banda prohibida a 300˚K Tipo de estructura de bandas Concentraciónintrínseca a 300˚K Movilidad de electrones a 300˚K Movilidad de huecos a 300˚K Constante de difusión de electrones a300˚K Constante de difusión de huecos a 300˚K Constante dieléctrica relativa Resistividad intrínseca a 300˚K Campoeléctrico de ruptura Conductividad térmica Símbolo Z A Ge 32 72.60 5.327 4.4*1022 1.04*1019 6.0*1018 0.55 0.39 0.7850.66 Indirecta ni μe μh De Dh ●’ ●i Erup 2.4*1013 3900 1900 101 49 16 47 105 0.6 Si 14 28.09 2.328 5*1022 2.8*10191.04*1019 1.08 0.55 1.21 1.12 Indirecta 1.54*1010 1350 475 35 12 11.9 2.3*105 3*105 1.5 AsGa 144.63 5.32 2.21*10224.7*1017 7*108 0.07 0.43 1.44 1.42 Directa 1.79*106 8500 400 220 20 13.1 4*108 4*105 0.42 Ωcm V/cm W/cm˚c por/cm3cm2/V.s cm2/V.s cm2/s cm2/s Unidad

gr/cm3 ato/cm3 est/cm3 est/cm3 me me eV eV

Nc Nv me* mh* Eg Eg