DISSPOSITIVOS OPTICOS

Páginas: 88 (21796 palabras) Publicado: 21 de junio de 2015
Dispositivos Optoelectrónicos
José Ramón Sendra Sendra
18 de abril de 2001

Índice General
1

Sensores
1.1 Funcionamiento básico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.1.1 ¿Cómo se detecta la radiación electromagnética? . .
1.1.1.1 Cuantos de energía, efecto fotoeléctrico. .
1.1.2 Conductividad eléctrica. . . . . . . . . . . . . . . .
1.1.2.1 Conductividad en general . . . . . . . . .
1.1.2.2Conductividad en metales . . . . . . . . .
1.1.2.3 Conductividad en semiconductores . . . .
1.1.2.4 Fotoconductividad . . . . . . . . . . . . .
1.1.3 Transmisión y absorción. . . . . . . . . . . . . . . .
1.1.3.1 ¿Qué zona del espectro se detecta? . . . .
1.1.4 Diferencias entre fotorreceptores . . . . . . . . . . .
1.2 Fotorresistencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.1 Teoríade funcionamiento . . . . . . . . . . . . . .
1.2.2 Ejemplos de utilización. . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.2.1 Báscula Schmitt-Trigger. . . . . . . . . .
1.2.2.2 Integrador . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.2.3 Oscilador . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.2.4 Oscilador controlado por luz. . . . . . . .
1.3 Fotodiodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.1 Unión PN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.2 Fotodiodos PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.3 Fotodiodos PIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.4 Fotodiodos APD . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.5 Electrónica para fotodiodos . . . . . . . . . . . . .
1.3.5.1 Amplificador de transconductancia . . . .
1.3.5.2 Tensiones de offset . . . . . . . . . . . .
1.3.5.3Ancho de banda . . . . . . . . . . . . . .
1.3.5.4 Amplificador oscilante . . . . . . . . . . .
1.4 Fototransistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.4.1 Circuitería para aplicación mediante un fototransistor
1.4.2 Características técnicas . . . . . . . . . . . . . . .
1.4.2.1 Características estáticas . . . . . . . . . .
1.5 Comparación entre los dispositivos sensores . . . . . . . ..
1

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ÍNDICE GENERAL
1.6

2

3

2

Circuitos Integrados Optoelectrónicos (OPICs) . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . .
1.6.1 TSL260 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Emisores
2.1 Diodos electroluminiscentes (LED’s) . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1.1 Eficiencia interna . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1.2 Potencia interna . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2.1.1.3 Distribución angular y potencia externa . . . . . . .
2.1.1.4 Ancho de banda espectral . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1.5 Longitud de onda de emisión. . . . . . . . . . . . .
2.1.2 Características técnicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.2.1 Potencia óptica y espectro de emisión . . . . . . . .
2.1.2.2 Característica tensión-corriente . . . . . . . . . . .
2.1.2.3 Máxima...
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