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Funcionamiento
1) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica alta cuándo indica el valor 1.
2) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica baja cuándo indica el valor 0.
3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la información se pierde.
4) Este tipo de celdas tienen un fenómeno de recarga constante ya que tienden adescargarse, independientemente si la celda almacena un 0 ó un 1, esto se le llama "refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente lentas.
TSOP proviene de ("Thin Small Out-line Package")
Lo que traducido significa conjunto de bajo perfil fuera de línea. Son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), los primeros módulos dememoria aislados que se introducían en zócalos especiales de la tarjeta principal ("Motherboard"). Estos chips en conjunto iban sumando las cantidades de memoria RAM del equipo.
Las memorias TSOP no fueron totalmente reemplazados en aquel tiempo, sino que se conjuntaron los módulos en una placa plástica especial y se organizaron las terminales con forma de pin en un solo lado de la tarjeta, naciendoel estándar de memorias SIP ("Single In-line Package").
Características
+ Básicamente había de diferentes formas y tamaños como cualquier otro circuito integrado.
+ Cuentan con una forma física como cualquier otro chip y se introducen las terminales en el espacio asignado para ello.
SIP es la sigla de ("Single In-line Package"),
Lo que traducido significa soporte simple en línea: son losprimeros tipos de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), que integraron en una sola tarjeta varios módulos de memoria TSOP, lográndose comercializar mayores capacidades en una sola placa. Las terminales se concentraron en la parte baja en forma de pines (30) que se insertaban dentro de las ranuras especiales de la tarjeta principal (Motherboard).
Reemplazaron el uso delas memorias TSOP. Las memorias SIP fueron rápidamente reemplazadas por las memorias RAM tipo SIMM ("Single In line Memory Module"), ya que las terminales se integraron a una placa plástica y se hizo mas resistente a los dobleces.
Características
+ Solo se comercializó una versión de memoria SIP de 30 terminales.
+ Cuentan con una forma física especial, pero tenían el inconveniente de que altener los pines libres y en línea corrían el riesgo de doblarse y romperse.
+ La memoria SIP de 30 terminales permite el manejo de 8 bits.
+ La medida del SIP de 30 terminales es de 8.96 cm. de largo X 1.92 cm. de alto.
SIMM proviene de ("Single In line Memory Module")
Lo que traducido significa módulo de memoria de únicamente una línea (este nombre es debido a que sus contactos se compartende ambos lados de la tarjeta de memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria de un solo lado de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 30 ó 72 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard).
Las memorias SIMM reemplazaron a las memorias RAM tipo SIP ("Single In-Line Package").
Lasmemorias SIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DIMM ("Dual In line Memory Module").
Características
+ Hay 2 versiones de memoria SIMM, con 30 y con 72 terminales, siendo el segundo el sucesor.
+ Cuentan con una forma física especial, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarla de manera incorrecta. Adicionalmente el SIMM de 72 terminales cuenta con una muesca en un lugarestratégico del conector.
+ La memoria SIMM de 30 terminales permite el manejo de 8 bits y la de 72 terminales 32 bits.
+ La medida del SIMM de 30 terminales es de 8.96 cm. de largo X 1.92 cm. de alto.
+ La medida del SIMM de 72 terminales es de 10.88 cm. de largo X 2.54 cm. de alto.
+ Pueden convivir en la misma tarjeta principal ("Motherboard") ambos tipos si esta tiene las ranuras necesarias...
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