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FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA

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Introducción
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El transistor de efecto de campo de unión (JFET) es un dispositivo electrónico notablemente diferente del transistor
bipolar. Su funcionamiento se basaen el estrechamiento de una región de semiconductor llamado canal, que une los
electrodos de fuente (source: S) y drenador (drain: D), debido a la formación de una zona de vaciamiento desprovista de
portadores libres en la unión PN entre la zona de puerta (gate: G) y el canal. La zona de vaciamiento crece al aumentar
la tensión inversa aplicada a la unión puerta-canal de modo que la conducciónentre drenador y fuente se puede controlar
con la tensión entre puerta y fuente (VGS ).
En el JFET la unión entre puerta y canal siempre debe estar polarizada en inversa de modo que la corriente de puerta
es extremadamente pequeña y se puede despreciar en la gran mayoría de los casos. Cuando la puerta se utiliza como
terminal de entrada se obtienen impedancias de entrada del orden de cientosde MΩ. El transistor JFET es por lo tanto un
dispositivo controlado por la tensión entre su puerta y su fuente mientras que el BJT estaba controlado por la corriente de
su base.
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En la figura anterior se muestran las curvas características de un JFET de canal N (en particular de un BF245). En la
primera gráfica se muestra lavariación de la corriente de drenador, ID , en función de la tensión VDS para distintos valores
de VGS . Se aprecian tres regiones de funcionamiento distintas:
CORTE: Para valores de VGS suficientemente negativos (VGS < VP

-3 voltios) la corriente se hace cero.

LINEAL, también llamada TRIODO: La corriente ID depente tanto de VGS como de VDS . Para valores pequeños de
VDS la corriente esproporcional a VDS (ver zoom). El JFET se comporta por lo tanto como una resistencia variable
(rON ) cuyo valor depende de la tensión VGS . La resistencia decrece al aumentar VGS .

SATURACION: Para valores de VDS suficientemente grandes (VDS > VGS − VP ) la corriente se hace aproximadamente constante y no depende de VDS . En esta región el JFET se comporta como una fuente de corriente. No
confundir estaregión con la región de saturación del BJT.
En la figura de la derecha se ha representado la corriente de saturación en función de VGS . Esta gráfica se ajusta bien a un
tramo de parábola que pase por cero para VGS = VP y por IDSS para VGS = 0. Obtenemos por lo tanto la siguiente ecuación
para la corriente del JFET en la región de saturación:
IDS =

IDSS
β 2
(VGS − VP)2 = VOV
2
2
VPDonde β = 2IDSS /VP2 es una constante con dimensiones de amperios/voltios2 y VOV = VGS −VP es la llamada tensión
de “overdrive”.
En la siguiente figura se muestra el estado de la zona de vaciamiento de la unión puerta-canal para las tres regiones
de funcionamiento. En la región de corte la zona de vaciamiento ha crecido hasta cerrar completamente el canal dejando
aislados los terminales defuente y drenador. En la región de saturación el canal se ha cerrado en el lado del drenador pero
no en el de la fuente.
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