EDGAR DOC 1

Páginas: 6 (1280 palabras) Publicado: 11 de junio de 2015
TIPO DE ENCAPSULADO DE TRANSISTORES DE POTENCIA
T.S.U. M.A.I.
Edgar Casique Hernández
edgar6115@hotmail.com

Introducción
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida cumple con funciones de amplificador oscilador o rectificador
Estas presentaciones dependen del tipo de aplicación en que se les van a utilizar.
Cada transistor(dispositivo semiconductor) tiene impreso en el cuerpo del mismo, el tipo de transistor que es, siendo así muy fácil poder encontrar sus características técnicas en un manual como el ECG, NTE u otro.
En estos manuales también se pueden encontrar transistores de características similares o muy parecidas a los que se les llama "equivalentes".

Desarrollo
Están encapsulados de diferentes formas y tamaños,dependiendo de la función que vayan a desempeñar. Hay varios encapsulados estándares y cada encapsulado tiene una asignación de terminales.
Independientemente de la cápsula que tengan, todos los transistores tienen impreso sobre su cuerpo sus datos, es decir, la referencia que indica el modelo de transistor.
Cápsula TO-3. Se utiliza para transistores de gran potencia, que siempre suelen llevar unradiador de aluminio que ayuda a disipar la potencia que se genera en él.
Este encapsulado se utiliza en transistores de gran potencia. Como se puede ver en el gráfico es de gran tamaño debido a que tiene que disipar bastante calor. Está fabricado de metal y es muy normal ponerle un "disipador" para liberar la energía que este genera en calor ya que es un dispositivo electrónico semiconductor quecumple con funciones de amplificador oscilador conmutador o rectificador. Diseño extremadamente compacto necesario para los circuitos altamente integrados.
Este disipador no tiene un contacto directo con el cuerpo del transistor, pues este estaría conectado directamente con el colector del transistor. Para evitar el contacto se pone una mica para que sirva de aislante y a la vez de buen conductortérmico.
El disipador de fija al transistor con ayuda de tornillos adecuadamente aislados que se introducen en los orificios que estos tienen.
Los encapsulados pueden contener Circuitos Integrados o Componentes Discretos, por tanto los clasificamos como encapsulados CI o encapsulados DI.

·    Encapsulados CI (Circuitos integrados):
De inserción: DIP, SIP, PGA…
Montaje superficial: SOP, TSOP, BGA,LGA, QFP, SOJ…

·    Encapsulados DI (Discretos):
De insertion: SP-8, TO-33, TO92, TO220…
De montaje superficial: SC-62, SC-72, SC-74, SC-75, HVSON, XSOF, MLP,...
En el transistor con encapsulado TO-3 el colector está directamente conectado al cuerpo del mismo (carcasa), pudiendo verse que sólo tiene dos pines o patitas.
Transistor e unión difusa: En esta clase de semiconductor se puede utilizar unmargen más amplio de frecuencias y el proceso de fabricación ha facilitado el uso de silicio en vez de germanio lo cual favorece la capacidad de potencia de la unidad. Los transistores de unión difusa se pueden subdividir en tipos de difusión única doble difusión y triple difusión.
Transistores de punta de contacto: El transistor original fue de esa clase y consistía en electrodos de emisor ycolector que tocaban un pequeño bloque de germanio llamado base. El material de la base se podía de tipo N y del tipo P y eran cuadrado de 0.05 de pulgada de lado aproximadamente. A causa de la dificultad de controlar las características de este frágil dispositivo ahora se le considera obsoleto.
Estas patitas no están en el centro del transistor sino que ligeramente a un lado y si se pone eltransistor como se muestra en la figura, al lado izquierdo estará el emisor y la derecha la base. (Figura 1).


Fig. 1 Ejemplo de Capsula

Los transistores de unión (uno de los tipos más básicos) tienen 3 terminales llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

Fig. 2 Ejemplo de transistores
Por otro lado, los...
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