Ekban
Páginas: 3 (600 palabras)
Publicado: 9 de diciembre de 2012
Dispositivos detectores de luz.
Los detectores de luz, dispositivos basados en la tecnología de semiconductores de silicio, producidos en gran escala, que convierten las señales de luz en señaleseléctricas, son otra parte importante de la moderna imagen de la optoelectrónica del semiconductor.
El fotodiodo.
El fotodiodo de unión pn polarizada en sentido inverso es un elemento básicopara comprender los dispositivos fotosensibles de silicio. Cuando la luz de longitud de onda apropiada es dirigida hacia la unión, se crean pares hueco-electrón que se desplazan a través de la unióndebido al campo generado en la región deprimida. El resultado es un flujo de corriente, denominado fotocorriente, en el circuito externo, que es proporcional a la irradiancia efectiva en eldispositivo. El fotodiodo se comporta básicamente como un generador de corriente constante hasta que se alcanza la tensión de avalancha.
Fotodiodo sensible a la luz con unión pn polarizadainversamente.
El fotodiodo exhibe un pico de respuesta en una longitud de onda radiante determinada. Para esta longitud de onda, se produce la máxima cantidad de pares huecos-electrón en la proximidad dela unión.
El máximo de la curva de respuesta espectral de un fototransistor típico se halla en 850 nm, aproximadamente.
La totalidad de los detectores de luz comunes consisten en una unión afotodiodo y un amplificador. En la mayoría de dispositivos comerciales, la corriente del fotodiodo se halla en el margen comprendido entre el submicroamperio y las decenas de microamperios, pudiendoañadirse a la pastilla un amplificador por un coste mínimo.
Fotodiodo de avalancha.
Es posible incorporar un tipo de sistema amplificador de empleo común formando parte del propio fotodiodo. Elfotodiodo de avalancha utiliza la multiplicación por avalancha para conseguir amplificar la fotocorriente creada por los pares hueco-electrón. Esto proporciona una elevada sensibilidad y gran rapidez....
Los detectores de luz, dispositivos basados en la tecnología de semiconductores de silicio, producidos en gran escala, que convierten las señales de luz en señaleseléctricas, son otra parte importante de la moderna imagen de la optoelectrónica del semiconductor.
El fotodiodo.
El fotodiodo de unión pn polarizada en sentido inverso es un elemento básicopara comprender los dispositivos fotosensibles de silicio. Cuando la luz de longitud de onda apropiada es dirigida hacia la unión, se crean pares hueco-electrón que se desplazan a través de la unióndebido al campo generado en la región deprimida. El resultado es un flujo de corriente, denominado fotocorriente, en el circuito externo, que es proporcional a la irradiancia efectiva en eldispositivo. El fotodiodo se comporta básicamente como un generador de corriente constante hasta que se alcanza la tensión de avalancha.
Fotodiodo sensible a la luz con unión pn polarizadainversamente.
El fotodiodo exhibe un pico de respuesta en una longitud de onda radiante determinada. Para esta longitud de onda, se produce la máxima cantidad de pares huecos-electrón en la proximidad dela unión.
El máximo de la curva de respuesta espectral de un fototransistor típico se halla en 850 nm, aproximadamente.
La totalidad de los detectores de luz comunes consisten en una unión afotodiodo y un amplificador. En la mayoría de dispositivos comerciales, la corriente del fotodiodo se halla en el margen comprendido entre el submicroamperio y las decenas de microamperios, pudiendoañadirse a la pastilla un amplificador por un coste mínimo.
Fotodiodo de avalancha.
Es posible incorporar un tipo de sistema amplificador de empleo común formando parte del propio fotodiodo. Elfotodiodo de avalancha utiliza la multiplicación por avalancha para conseguir amplificar la fotocorriente creada por los pares hueco-electrón. Esto proporciona una elevada sensibilidad y gran rapidez....
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