El argumento

Introducción:
Los transistores HFET más conocidos como HEMT o lo que significan sus siglas, High Electron Mobility Transistor que traducido significa Transistor de alta movilidad de electrones. Conesta definición podemos ya introducirnos un poco más en el tema.
Además de que los HFET también los podemos definir como Field Effect Trasistor, o simplemente como transistor de efecto de campo yaque forma parte de los FET.
Existe una serie de configuraciones que tiene este tipo de transistores HFET donde la base sea poco o más dopada o lo contrario el emisor que puede que sea más dopado queel colector.




















Definición del concepto
¿Qué es HFET?
Es un tipo de transistores por la cual estos tienen un efecto de campo que donde tiene un alta movilidad deelectrones. Además incorporan una unión entre dos materiales con diferentes bandas las cuales son prohibidas.
Tiene una heterounion, en vez de una región dopada como es comúnmente en los casos deMOSFET, como canal de conducción.
La composición habitual que tienen estos transistores es de una combinación química de Arseniuro de Galio, aunque existe una gran variabilidad en función de laaplicación a la que se destine.
Existen transistores que contienen indio como un componente quimico que generalmente representan un mejor rendimiento en altas frecuencias.
El efecto que provoca estecruce es el de crear una capa muy delgada de la realización los electrones en movimiento con una capa bastante elevada de concentración, provocando una resistividad mínima ante el paso de los electronesen movimiento, esta capa es conocida como bidimensional de electrones del gas, es decir que como todos los demás tipos de transistores FET se ven alterados al aplicar un voltaje de entrada en estosmismos.
Características
Los transistores tienen una resistencia de casi los 1000Ω cuando este recibe energía.
Son mucho menos ruidosos que otros tipos de transistores.
Estos transistores no se...