El BJT

EL TRANSISTOR DE UNIÓN
BIPOLAR (BJT)

Transistor de Unión Bipolar (BJT)


Transistor





Bipolar




Transfer y resistor
La corriente que circula entre dos terminales está
controlada por una señal aplicada al tercer terminal

La corriente es transportada por portadores de ambas
polaridades (electrones y huecos)

BJT



Disposiivo de 3 terminales: emisor, basey colector
Dos tipos: PNP y NPN.



La flecha del Emisor siempre se indica de P a N.



PNP : La corriente fluye de emisor a colector y la
corriente de base sale del transistor.



NPN: La corriente fluye de colector a emisor y la
corriente de base entra al transistor.

Operación de BJT




El transistor más utilizado es
el NPN
El comportamiento del PNP
es dual conrespecto al NPN,
es decir que si se cambian
electrones por huecos, junto
con el sentido de las
corrientes y las polaridades
de las tensiones el
comportamiento es idéntico

Operación del BJT




Estos diodos son denominados: "Diodo de
emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo
de colector" (el de la derecha en este caso).
Cuando está sin polarizar se produce una"Difusión" , donde los electrones cruzan de la
zona n a la zona p, se difunden, encuentran un
hueco y se recombinan. Esto hace que en las
uniones entre las zonas n y p se creen iones
positivos y negativos.

Operación del BJT



Esta difusión y recombinación se da hasta llegar
al equilibrio, consiguiendo una barrera de
potencial de 0,7 V (para el Si). Se crean 2 zonas
de carga espacial (z. c.e.), una en la unión E-B y
otra en la unión C-B.

Operación del BJT
 La operación del BJT se logra con la

polarización de cada unión PN o NP del
dispositivo. Dependiendo del tipo de
polarización (directa o inversa) de cada unión,
se tendrá al transistor operando en una zona
de trabajo específica de acuerdo a la tabla
siguiente:

Configuraciones del BJT
 Si una terminar es comúna la entrada y salida se obtiene
las siguientes configuraciones:
 Base Común
 Aicc= 1 ; Re pequeña; Rs muy grande
 Emisor Común
 Aicc elevada; Re pequeña; Rs grande
 Colector Común
 Aicc elevada; Re muy grande; Rs muy pequeña

 El EC es el más utilizado para amplificación

Funcionamiento del BJT
 La ubicación del transistor en la zona activa, permite

el uso del dispositivocomo amplificador de señales,
por tal razón se hará énfasis en esta zona de
operación.
 BJT en la zona activa (NPN)
 En este caso la conductividad
 Se presenta de Colector a Emisor

con una muy baja corriente hacia
el terminal base.

 Aplicando LCK : IE=IC+IB

Funcionamiento del BJT
 Del análisis de LCK se puede decir que la IB es

muy pequeña debido a la baja conductividadde la capa base, lo que hace que IE  IC.
 Una vez que el transistor se encuentra en el

estado encendido, el voltaje base- emisor
será: 0.7V.

Configuración del BJT
 Emisor Común
 El emisor es común a las terminales tanto de entrada como

de salida (base y colector).


Ic
IB

 La proporcionalidad entre la corriente de salida (Ic) y la de

entrada (IB) en estaconfiguración viene expresada por el
factor de amplificación de corriente de emisor común (). Se
mide en DC.
 Sustituyendo  en la ecuación IE=Ic+IB, se obtiene:

I E  (   1) I B

Configuración del BJT
 Base Común
 Base es común a la entrada y la salida.
 Por lo regular la base es la terminal mas cercana a

tierra.

 La proporcionalidad entre la corriente de entrada y

salida seevalúa en corriente continua y se
representa por la letra:  = 1 puesto que IEIC

Configuración del BJT
 Colector Común
 La amplificación es similar a la que se hace en el

EC con la diferencia en que en la configuración CC
la salida está en fase con la entrada.

Curvas Características del BJT
 Las curvas de salida, relacionan la corriente de
salida con el voltaje de salida para...