El Diodo

Diotec
Silicon Rectifier

1N 4001 ... 1N 4007, 1N 4007-1300 EM 513, EM 516, EM 518

Silizium Gleichrichter Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage PeriodischeSpitzensperrspannung
Ø 2.6 max

1A 50…2000 V

Plastic case Kunststoffgehäuse
Ø 0.8+0.05

DO-41

Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

0.4 g

Dimensions / Maße in mm

see page 17 siehe Seite 17

Maximum ratings Type Typ 1N 4001 1N 4002 1N 40031N 4004 1N 4005 1N 4006 1N 4007 1N 4007-1300 EM 513 EM 516 EM 518

Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 1300 1600 1800 2000Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 1300 1600 1800 2000

Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltungmit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom

TA = 75°C TA = 100°C f > 15 Hz

IFAV IFAV IFRM

1 A 1) 0.75 A 1) 10 A 1)

1

) Valid, if leads are kept at ambienttemperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 01.01.99

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1N 4001 ... 1N 4007, 1N 4007-1300 EM513, EM 516, EM 518

Diotec
i2t 12.5 A2s

Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Peak fwd. surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle,

TA =25°C

TA = 25°C

IFSM

50 A

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur

Tj TS

– 50…+175°C – 50…+175°C

Characteristics Forwardvoltage – Durchlaßspannung Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 25°C Tj = 100°C IF = 1 A VR = VRRM VR = VRRM VF IR IR RthA

Kennwerte < 1.1 V < 5 µA < 50 µA < 45 K/W 1)

Thermal resistance...