el diodo
Las propiedades de los materiales semiconductores se conocían en 1874, cuando se observó la conducción en un sentido en cristales de sulfuro, 25 años más tarde se empleó el rectificador de cristales de galena para la detección de ondas. Durante la Segunda Guerra Mundial se desarrolló el primer dispositivo con las propiedades que hoy conocemos, el diodo de germanio.
POLARIZACIÓNCIRCUITO
CARACTERÍSTICAS
DIRECTA
el ánodo se conecta al positivo de la batería
y el cátodo al negativo.
El diodo conduce con una caída de tensión
de 0,6 a 0,7V.
El valor de la resistencia interna seria muy bajo.
Se comporta como un interruptor cerrado
INVERSA
el ánodo se conecta al negativo y el cátodo
al positivo de la batería
El diodo no conduce y toda la tensión de lapila cae sobre el.
Puede existir una corriente de fuga del orden de uA.
El valor de la resistencia interna sería muy alto
Se comporta como un interruptor abierto.
SIMBOLOGÍA
Diodo rectificador
Diodo Schottky
Diodo zener
Diodo varicap
Diodo Pin
Diodo túnel
Diodo LED
Fotodiodo
Puente rectificador
CARACTERISTICAS TECNICAS
Como todos los componenteselectrónicos, los diodos poseen propiedades que les diferencia de los demás semiconductores. Es necesario conocer estas, pues los libros de características y las necesidades de diseño así lo requieren. En estos apuntes aparecerán las más importantes desde el punto de vista practico.
Valores nominales de tensión:
VF = Tensión directa en los extremos del diodo en conducción.
VR = Tensión inversaen los extremos del diodo en polarización inversa.
VRSM = Tensión inversa de pico no repetitiva.
VRRM = Tensión inversa de pico repetitiva.
VRWM = Tensión inversa de cresta de funcionamiento.
Valores nominales de corriente:
IF = Corriente directa.
IR = Corriente inversa.
IFAV = Valor medio de la forma de onda de la corriente durante un periodo.
IFRMS = Corriente eficazen estado de conducción. Es la máxima corriente eficaz que el diodo es capaz de soportar.
IFSM = Corriente directa de pico (inicial) no repetitiva.
AV= Average(promedio)
RMS= Root Mean Square (raíz de la media cuadrática)
Valores nominales de temperatura
Tstg = Indica los valores máximos y mínimos de la temperatura de almacenamiento.
Tj = Valor máximo de la temperatura que soportala unión de los semiconductores.
La curva característica del diodo.
TIPOS DE DIODOS.-
DIODOS METAL-SEMICONDUCTOR.- Los más antiguos son los de germanio con punta de tungsteno o de oro. Su aplicación más importante se encuentra en HF, VHF y UHF. También se utilizan como detectores en los receptores de modulaciónde frecuencia. Por el tipo de unión que tiene posee una capacidad muy baja, así como una resistencia interna en conducción que produce una tensión máxima de 0,2 a 0,3v.
El diodo Schottky son un tipo de diodo cuya construcción se basa en la unión metal conductor con algunas diferencias respecto del anterior. Fue desarrollado por la Hewlett-Packard en USA, a principios de la década de los 70. Laconexión se establece entre un metal y un material semiconductor con gran concentración de impurezas, de forma que solo existirá un movimiento de electrones, ya que son los únicos portadores mayoritarios en ambos materiales. Al igual que el de germanio, y por la misma razón, la tensión de umbral cuando alcanza la conducción es de 0,2 a 0,3v. Igualmente tienen una respuesta notable a altasfrecuencias, encontrando en este campo sus aplicaciones más frecuentes. Un inconveniente de esto tipo de diodos se refiere a la poca intensidad que es capaz de soportar entre sus extremos.
El encapsulado de estos diodos es en forma de cilindro , de plástico o de vidrio. De configuración axial. Sobre el cuerpo se marca el cátodo, mediante un anillo serigrafiado.
Diodo de punta de...
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