El jfet

El JFET actúa como un dispositivo controlado por voltaje, este voltaje controla la corriente de salida del dispositivo. Y el BJT la corriente de entrada controla la corriente de salida.Debido a que la resistencia de entrada del JFET es idealmente infinita. Por lo que el control de la corriente de salida es menor y lo hace menos sensible a los cambios de entrada que elBJT
FET´S Ò JFETJUNTION
FIELD EFFECT TRANSISTOR
Este tipo de transistores son uní-polar, su operación depende de un solo tipo de portadores electrones o huecos, o sea los transistoresFET´s solo conducen portadores mayoritarios.
En la mayoría de las aplicaciones lineales los BJT tienen la preferencia, existen algunas aplicaciones con alta impedancia, q son mejor losFET´s.
En la mayoría de las aplicaciones de conmutación se usan principalmente el FET, debido a que no hay capa de intercambio de portadores como en el BJT, por lo que los tiempos deconmutación son muy superiores.
Además es más económico producir FET´s que BJT y pueden ser de menor tamaño, que los hace ideal para integración
La construcción básica de los transistoresFET´s es la siguiente:

Los transistores FET son más estables a la temperatura que los BJT
El JFET es uno de los dispositivos q se controla por voltaje, ya q un voltaje de entradacontrola la corriente de salida del dispositivo ósea si el voltaje Ves=0 la corriente q circula atreves del dispositivo (IDS) es máxima razón por la cual se dice que un JFET está en conducción.Si:
VES=0 IDS=MAX.
VES= (-) IDS= Disminuye
Polarización negativa

VGS= VDG/ VDS =VDD
CURVA CARACTERISTICA

RA= Region activa
IDSS = Corriente drain –fuente cuando esta enDS en corto circuito IDSS = max
VP=voltaje de estrangulamiento
RΩ= región ohmica
VDS(max)= voltaje de ruptura
VES(off) ID=0 voltaje de corte compuerta/fuente