el patio

Deber 1

1.- Cuantos electrones de valencia aporta cada átomo de silicio para formar enlaces covalentes? ¿Cuantos electrones de valencia hay en cada cm3 de silicio?

Cada átomo de silicio aportacon 4 de sus electrones de valencia con los átomos aledaños
La fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8 los electrones que quedan (aunque sean compartidos) con cada átomo, gracias aesta característica los enlaces covalentes son de una gran solidez.
Se encuentran 5.1022 átomos cristal de silicio por cm3

2.- ¿Porque un electrón de valencia no es un portador de corriente?Porque es parte de la estructura del átomo de silicio.

3.- ¿Un electrón de valencia en un cristal de silicio captura un quantum de energía de 2 eV? ¿Cuánta energía habrá de ceder a la redcristalina a través de colisiones después de cierto tiempo?
Dato: Eg del silicio 1,1 eV.

Ec (Banda de conducción)-Eg (Banda Prohibida) la energía para que el electrón pase a la banda de conducción, porlo tanto 2eV – 1.1eV = 0.9 eV de energía.

4.- Defina que es un semiconductor extrínseca tipo N

Están dopados, con elementos pentavalentes, como por ejemplo (As, P, Sb). Que sean elementospentavalentes, quiere decir que tienen cinco electrones en la última capa, lo que hace que al formarse la estructura cristalina, un electrón quede fuera de ningún enlace covalente, quedándose en un nivelsuperior al de los otros cuatro. Como consecuencia de la temperatura, además de la formación de los pares e-h, se liberan los electrones que no se han unido.













5.- Defina que esun semiconductor extrínseco tipo P

los electrones salten a las vacantes con facilidad, dejando huecos en la banda de valencia, y siendo los huecos portadores mayoritarios.







De estamanera los que están dopados con elementos trivalentes, (Al, B, Ga, In). El hecho de ser trivalentes, hace que a la hora de formar la estructura cristalina, dejen una vacante con un nivel energético...