El Transistor De Uni N Bipolar BJT

EL TRANSISTOR DE
UNIÓN BIPOLAR
(BJT)

Introducción
En 1949, Walter Houser
Brattain, John Bardeen y
William Bradford Shockley,
científicos
de
la
“Bell
Telephone
Laboratories”,
iniciaron unarevolución en la
electrónica con la invención
del transistor.
El transistor es un dispositivo electrónico de estado sólido de gran uso
tanto en la electrónica analógica (amplificador) como en la digital(conmutador). Existen diversos tipos de transistores, entre ellos:
BJT= Transistor de unión o bipolar
JFET= Transistor de efecto de campo
MOSFET=Transistor FET de oxido metálico)
UJT = Transistor deunijuntura

Componentes de 3
terminales:
BJT: Fuente de corriente (salida)
controlada por corriente (entrada).
Ganancia de corriente. Terminales:
Base, Emisor y Colector

FET: Fuente de corriente
(salida)controlada por tensión
(entrada).
Transconductancia
(gm).Terminales:
Puerta,
Drenaje y Fuente

Clasificación de los
componentes de 3
terminales.

Estructura
Un BJT se compone de
tres diferentesregiones
semiconductoras, la región
del emisor, la región de la
base y la región del
colector. Estas regiones
pueden estar distribuidas
como NPN y PNP. Cada
región de semiconductores
está conectado a unaterminal,
debidamente
etiquetados: (emisor E),
(base B) y colector (C).

Estructura interna de
un transistor bipolar

Zonas de
funcionamiento
Zona Activa:
Unión Base - Emisor
polarizada
directamenteUnión Base - Colector
polarizada inversamente.

Zona de Corte:
Unión Base – Emisor
polarizada inversamente.
Base – Colector polarizada
inversamente. No hay
movimiento de electrones
(sólo minoritarios)Zona Saturación:
Unión Base –Emisor polarizada
directamente. Unión Base –
Colector polarizada directamente.
La polarización directa BC evita
que pasen los e- provenientes del
Emisor. Sin embargoprovoca que
la tensión CE sea prácticamente
nula. La corriente de colector ic
depende del circuito externo.

Zona de Transistor inverso:
Unión Base – Emisor polarizada
inversamente.
Base
–
Colector...