el ujt

El transistor UJT o de uni-unión
El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT está constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. En lafigura 1.a aparece la estructura física de este dispositivo. El emisor está fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBBo resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10KΩestando el emisor abierto).
Símbolo del UJT estructura del UJT circuito equivalente del UJTFigura 1ª Figura 1b Figura 1c
El modelo equivalente representado en la figura 1.b está constituido por un diodo que excita la unión de dos resistencias internas, R1 y R2, que verifican RBB=R1+R2.Cuando el diodo no conduce, la caída de tensión en R1 (V1) se puede expresar como

En donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y es el factor de división de tensión conocidocomo relación intrínseca. El modelo de este dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura 2.c, cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conducción lostransistores la caída de tensión en R1 es muy baja. El símbolo del UJT se muestra en la figura2

Figura Transistor UJT. a) Estructura física, b) modelo equivalente,
c) circuito equivalente y d)símbolo.

Funcionamiento de un UJT
El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la grafica de la figura 3 se describe las características eléctricas de este dispositivo a través de larelación de la tensión de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se definen dos puntos críticos: punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valley-point (VV, IV), ambos verifican lacondición de dVE/dIE=0. Estos puntos a su vez definen tres regiones de operación: región de corte, región de resistencia negativa y región de saturación, que se detallan a continuación:


Figura 3....