Elaboracion De Proyectos Ejercicios

Transistor MOSFET
Construcción y características
Existen dos tipos de transistores MOS-FET: de tipo decremental y de tipo incremental. Los términos decremental e incremental se refieren a su forma básica de operar, mientras que MOS-FET significa transistor de efecto de campo metal-oxido-semiconductor.
MOS-FET DE TIPO DECREMENTAL CANAL N.
En la figura 14.1 se describe la construcción básicadel transistor MOS-FET de tipo decremental de canal N.
Figura 14.1 | El sustrato está formado por una placa de material tipo P de silicio. En algunos casos, el sustrato está conectado internamente con la fuente y solo presenta tres terminales. El drenaje y la fuente están formados de material tipo N unidos por un canal también de material tipo N. La puerta está conectada a una capa muy delgadade óxido de silicio. El óxido de silicio es aislante, lo que explica la alta impedancia de estos dispositivos. Cuando la tensión de la puerta VGS = 0 V y se aplica una tensión a los terminales de drenaje y fuente, se establece una corriente IDSS similar a la del transistor JFET. Si a la puerta se le aplica una tensión negativa, esto tendrá como consecuencia una disminución de la corriente dedrenaje IDSS . Cuanto más alta sea la tensión negativa de la puerta tanto más se reducirá la corriente de drenaje, según se puede ver en las curvas de la figura 14.2, hasta llegar al nivel de estrechamiento con una tensión de puerta de -6 voltios. |

Figura 14.2
Para valores positivos de la tensión de puerta VGS , la corriente de drenaje aumentará. El espaciamiento vertical entra las curvas VGS = 0V y VGS = +1 V en la figura 14.2 es una indicación cñara de cuanto ha aumentado la corriente de drenaje cuando cambia en un voltio la tensión de puerta.
Vemos que la aplicación de una tensión positiva a la puerta incrementa la intensidad de drenaje. Por esta razón, a esta zona de tensiones de puerta positiva se le denomina región incremental.
MOS-FET DE TIPO DECREMENTAL CANAL P.
Laconstrucción de un transistor MOS-FET de tipo decremental de canal P es exactamente de forma inversa al de canal N, pero cambian el sustrato que es de material tipo N y el canal drenador-fuente que es de tipo P. Como consecuencia, las polaridades y direcciones de corriente también están invertidas. Las características y el modo de funcionamiento son similares al tipo de canal N.
Figura 14.3 | En la figura14.3 se han dibujado los símbolos de los transistores MOS-FET. (a) Tipo decremental canal N.b) Tipo decremental canal P |
 
MOS-FET DE TIPO INCREMENTAL CANAL N.
Figura 14.4 | La construcción del MOS-FET tipo incremental es similar a la del tipo decremental. La única diferencia es que se suprime el canal tipo N que une las regiones de drenaje y fuente. Si entre drenaje y fuente se la aplicauna tensión, siendo la tensión de puerta VGS = 0 V, el resultado será una ausencia de corriente entre los terminales de drenaje y fuente, debido a que existe dos regiones P-N con polarización inversa entre las regiones N y el sustrato P. Si se aplica una pequeña tensión positiva a la puerta, respecto a la fuente, se apreciará una corriente del drenador a la fuente. Conforme la tensión de puerta VSGcontinue aumentando, la corriente drenador-fuente también aumentará. El valor de la tensión de puerta VSG del que resulta un incremento significativo de la corriente de drenaje se denomina tensión de umbral, con símbolo VT (del inglés Threshold). |
Puesto que al aumentar la tensión de puerta aumenta la corriente de drenaje, a este tipo de MOD-FET se le conoce con el nombre de incremental.Figura 14.5
Cuando VGS se incrementa más allá de la tensión de umbral, se incrementa la intensidad de drenaje, Sin embargo, si se mantiene constante VGS y solo se aumenta la tensión VDS , la corriente de drenaje alcanzará un nivel de saturación como ocurría en el JFET y en el MOS-FET decremental.
Las curvas de la figura 14.5 indican que cuando se incrementa la tensión VGS se incrementa de VT a 8...