Elec

OBJETIVO
Comprobar los parámetros eléctricos de conducción y activación del SCR y demostrar su operación básica

RESUMEN.
El SCR (Rectificador controlado de silicio) es un dispositivosemiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal.
El símbolo y estructura del SCR se muestran en la figura.
Analizando los diagramas: A = ánodo, G = compuerta o Gate y C = K = cátodoFuncionamiento básico del SCR
El siguiente gráfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su funcionamiento.
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1),se producen dos corrientes: IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), estea su vez causa más corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y......
Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

Los parámetrosdel SCR son:
- VRDM: Máximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
- VFOM: Máximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
- IF: Máxima corriente directa permitida.
- PG: Máxima disipación de potencia entrecompuerta y cátodo.
- VGT-IGT: Máximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
- IH: Mínima corriente de ánodo requerida para mantener cebado e SCR
- dv/dt: Máxima variaciónde voltaje sin producir cebado.
- di/dt: Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el SCR.
SCR (Rectificador controlado de silicio)
Tiristor es un elemento semiconductor muyutilizado para controlar la cantidad de potencia que se entrega a una carga, Analizando el símbolo:
- A = ánodo
- G = compuerta o Gate
- C = cátodo, también representado por la letra K

Scr en lacorriente continua:

Normalmente el SCR se comporta como un circuito abierto hasta que activa su compuerta (GATE) con una pequeña corriente (se cierra el interruptor S) y así este conduce y se...