electrica

circuito equivalente completo del diodo Zener incluye una pequeña resistencia dinámica y una batería igual potencial Zener.
Debido a la capacidad de soportar mayor temperatura y corriente, por lo General en la manofactura de los diodos Zener se prefiere el silicio.



1.15 Diodo emisor de luz.
Como su nombre indica el diodo emisor de luz LED (Light emitting diode) es un diodo que emite luzvisible cuando se energiza.
En el silencio de germanio el mayor porcentaje se genera en forma de calor y la luz emitida es insignificante. En otros materiales como el fosfuro arseniuro de la Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP), el número de fotones de energía de luz emitida es suficiente para crear una fuente de luz muy visible.
Al proceso de emisión de luz mediante la aplicación de unafuente de energía eléctrica se le llama electroluminicencia.
En el LED la superficie conductora conectada al material P es mucho más pequeña, con objeto de permitir la emisión de un número en máximo de fotones de energía lumínica.














































1.16 Arreglos de diodos: circuitos integrados
Un circuito integrado no es undispositivo único con características totalmente diferentes, simplemente es una técnica que permite una reducción significativa en el tamaño de los sistemas electrónicos.




DIODOS SEMICONDUCTORES

1.2 Diodo ideal
El diodo ideal es un dispositivo con dos terminales que se representa por el símbolo .
De forma ideal un diodo conducirá corriente en la dirección definida por la flecha quemuestra el símbolo y actuará como el circuito abierto ante cualquier intento por establecer corriente en dirección opuesta.




1.3 Materiales semiconductores
Un semiconductor es un material que posee un nivel de conductividad sobre algún punto entre los extremos de un aislante y un conductor. De manera inversa y relacionada con la conductividad de un material se encuentra resistencia al flujode carga o corriente.
El átomo de germanio tiene 32 electrones en órbita mientras que el de silicio tiene 14 electrones en varias órbitas. En ambos casos tienen 4 electrones de valencia. Estos átomos forman enlaces covalentes.
Los avances recientes han reducido los niveles de impurezas en la fabricación de Ge y Si a una parte por cada 10 mil millones (1: 10 000 000 000).
Otra característicaes que los átomos de estos elementos forman elpatrón muy definido periódico. A un patrón completo se le llama cristal, y a un arreglo periódico de átomos red cristalina. Cualquier material compuesto sólo de estructuras repetidas de cristal del mismo tipo se denomina estructura de cristal único.
Un incremento en la temperatura con semiconductor puede generar un incremento sustancial en el númerode electrones libres el material.


1.4 Niveles de energía
Mientras más distante se encuentre electrón del núcleo mayor es el estado de energía y cualquier electrón que haya dejado a su átomo tiene un estado de energía mayor que cualquier electrón en la estructura atómica.
1.5 Materiales Extrínsecos: Tipo n y tipo p
Un material semiconductor que haya sido sujeto a proceso de dopado sedenomina en materia de Extrínsecos existen dos tipos:
Material tipo n. Se crea a través de la introducción de elementos que poseen cinco electrones de Valencia como el antimonio, arsénico y fósforo. A las impurezas difundidas con cinco electrones de Valencia se les denomina átomos donadores.
Material tipo p. Se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con átomos de impurezaque poseen tres electrones de Valencia. Los elementos que es utilizan con mayor frecuencia para este propósito son el boro, galio e indio. A las impurezas difundidas con tres electrones de Valencia se les conoce como átomos aceptores.
En un material tipo N al electrón se le llama portador mayoritario y el hueco es el portador minoritario. En un material tipo p el hueco que ser portador...