electrica1
Páginas: 2 (264 palabras)
Publicado: 22 de septiembre de 2014
REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA
“ANTONIO JOSÉ DE SUCRE”
VICE-RECTORADO “LUIS CABALLERO MEJÍAS”
DPTO. DE INGENIERÍADE SISTEMAS
LABORATORIO DE SISTEMAS ELÉCTRONICOS II - SEC. 03
PRACTICA 01 – TRANSISTOR BJT
PRE-INFORME
PRIMER CIRCUITO
TRANSISTOR 2N3904
Vcc = 10V
VBB = 2V
RB= 50K
RC = 2K
RE = 1K
β = 300
Asumiendo que el transistor esta activa y teniendo en cuenta las ecuaciones para trabajar en dicha zona, se hace el recorrido (I):
02
50
0,7
2
50
0,7
2
50
0,7
301
1
0
301
0
3,703
se obtiene
Con
0,003
1,111
Continuando con el recorrido (II):
010
1,111
2
1,111
1
8,89
Teniendo en cuenta la relación Vsat < VCE < Vcc se tiene que 0,2V < 8,89V < 10V y por lo tanto el transistor esta trabajando
enla zona activa.
SEGUNDO CIRCUITO
TRANSISTOR 2N2222
Vcc = 10V
RB1 = 10K
RB2 = 2K
RC = 2K
RE = 1K
β = 300
Mediante la aplicación de TH se obtiene:
1//
2
22
10 //2
1,667
1
2
2
1,667
10
10
Asumiendo que el transistor esta en activa y teniendo en cuenta
las ecuaciones para trabajar en dicha zona,se hace el recorrido (I):
0
1,667
1,667
0,7
1,667
1,667
0,7
1,667
1,667
Con
0,7
301
1
0
301
0,003
0
3,194
0,958
se obtieneContinuando con el recorrido (II):
0
10
0,958
2
0,958
1
9,042
Teniendo en cuenta la relación Vsat < VCE < Vcc se tiene que 0,2V < 9,042V < 10Vy por lo tanto el transistor esta trabajando
en la zona activa.
A continuación se presenta una captura de la simulación de ambos circuitos mediante Multisim
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA
“ANTONIO JOSÉ DE SUCRE”
VICE-RECTORADO “LUIS CABALLERO MEJÍAS”
DPTO. DE INGENIERÍADE SISTEMAS
LABORATORIO DE SISTEMAS ELÉCTRONICOS II - SEC. 03
PRACTICA 01 – TRANSISTOR BJT
PRE-INFORME
PRIMER CIRCUITO
TRANSISTOR 2N3904
Vcc = 10V
VBB = 2V
RB= 50K
RC = 2K
RE = 1K
β = 300
Asumiendo que el transistor esta activa y teniendo en cuenta las ecuaciones para trabajar en dicha zona, se hace el recorrido (I):
02
50
0,7
2
50
0,7
2
50
0,7
301
1
0
301
0
3,703
se obtiene
Con
0,003
1,111
Continuando con el recorrido (II):
010
1,111
2
1,111
1
8,89
Teniendo en cuenta la relación Vsat < VCE < Vcc se tiene que 0,2V < 8,89V < 10V y por lo tanto el transistor esta trabajando
enla zona activa.
SEGUNDO CIRCUITO
TRANSISTOR 2N2222
Vcc = 10V
RB1 = 10K
RB2 = 2K
RC = 2K
RE = 1K
β = 300
Mediante la aplicación de TH se obtiene:
1//
2
22
10 //2
1,667
1
2
2
1,667
10
10
Asumiendo que el transistor esta en activa y teniendo en cuenta
las ecuaciones para trabajar en dicha zona,se hace el recorrido (I):
0
1,667
1,667
0,7
1,667
1,667
0,7
1,667
1,667
Con
0,7
301
1
0
301
0,003
0
3,194
0,958
se obtieneContinuando con el recorrido (II):
0
10
0,958
2
0,958
1
9,042
Teniendo en cuenta la relación Vsat < VCE < Vcc se tiene que 0,2V < 9,042V < 10Vy por lo tanto el transistor esta trabajando
en la zona activa.
A continuación se presenta una captura de la simulación de ambos circuitos mediante Multisim
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