Electricidad
Páginas: 3 (545 palabras)
Publicado: 5 de octubre de 2010
ENSEÑANZA
REVISTA MEXICANA DE FislCA 45 (1) 97-107
FEBRERO 1999
Visualización
de la barrera
Schottky en un semiconductor resistencia
electro-óptico
de alta
A.V. llinskii, T.A.Prulskij, F. Silva-Andradc y F. Chúvcz
Cellfro de Iflvestignciones en Dispositil'OS Semic01uluclOres, Benemérita Univ('r.'\idnci Altfólloma Aparwdo postal 1651, 72000 Puebla, Pue .. Mexico de PueblaRecibido el 10 de junio de 1998; aceptaJo el 23 de octuhre de 199X
El trabajo pr• .íctico que aquí se propone está dirigido a los alumnos de universidad en la especializal"ión de física delestado sólido, semiconductores, eleclro-6ptica. opto-electrónica y otros. La ventaja principal del trabajo es la posibilidad de visualizar la demostración de un efecto hásico en la física desemiconductores: el fenómeno de apantallamiento del campo eléctrico externo por la región de la carga volumétrica. la cual surge en el semiconductor en la l'ereanía del contacto metal-semiconductor cuando a éstese le ;\plica un voltaje de poIJrizaci6n inversa. La delllostr;.ci{lIl y el estudio de este fenómeno, así como la determinnci6n de los padrnclros hásiros del semiconductor, tales como el tipo deporladores mayoritarios de carga, su longitud de arrastre, el tiempo de relajaci6n de Maxwell yel ancho de la región de la cnrga espacial, la cual es responsable del apantallamiento del campo eléctricoexterno (la longitud de Schottky), se llevan a cabo con ayuda de un método óptico. Este mélodo cst~ hasndo en el efecto transversal electro-óptico de Pockels. que tiene lugar cn un cristal sin centro d:simetría cuando éSle se ilumina con una luz pobrizadn de sondeo en la dirección perpendicular al campo eléctrico aplicado. El trabajo que estamos proponiendo puede ser instalado en un laboratoriodocente, usando equipos convencionales con costos relativamente bajos. El trabajo que aquí se descrihc consiste lIe dos partes: la primera parte está dedicadn a la descripción leórica del efecto de...
REVISTA MEXICANA DE FislCA 45 (1) 97-107
FEBRERO 1999
Visualización
de la barrera
Schottky en un semiconductor resistencia
electro-óptico
de alta
A.V. llinskii, T.A.Prulskij, F. Silva-Andradc y F. Chúvcz
Cellfro de Iflvestignciones en Dispositil'OS Semic01uluclOres, Benemérita Univ('r.'\idnci Altfólloma Aparwdo postal 1651, 72000 Puebla, Pue .. Mexico de PueblaRecibido el 10 de junio de 1998; aceptaJo el 23 de octuhre de 199X
El trabajo pr• .íctico que aquí se propone está dirigido a los alumnos de universidad en la especializal"ión de física delestado sólido, semiconductores, eleclro-6ptica. opto-electrónica y otros. La ventaja principal del trabajo es la posibilidad de visualizar la demostración de un efecto hásico en la física desemiconductores: el fenómeno de apantallamiento del campo eléctrico externo por la región de la carga volumétrica. la cual surge en el semiconductor en la l'ereanía del contacto metal-semiconductor cuando a éstese le ;\plica un voltaje de poIJrizaci6n inversa. La delllostr;.ci{lIl y el estudio de este fenómeno, así como la determinnci6n de los padrnclros hásiros del semiconductor, tales como el tipo deporladores mayoritarios de carga, su longitud de arrastre, el tiempo de relajaci6n de Maxwell yel ancho de la región de la cnrga espacial, la cual es responsable del apantallamiento del campo eléctricoexterno (la longitud de Schottky), se llevan a cabo con ayuda de un método óptico. Este mélodo cst~ hasndo en el efecto transversal electro-óptico de Pockels. que tiene lugar cn un cristal sin centro d:simetría cuando éSle se ilumina con una luz pobrizadn de sondeo en la dirección perpendicular al campo eléctrico aplicado. El trabajo que estamos proponiendo puede ser instalado en un laboratoriodocente, usando equipos convencionales con costos relativamente bajos. El trabajo que aquí se descrihc consiste lIe dos partes: la primera parte está dedicadn a la descripción leórica del efecto de...
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