Electrnica Digital

Páginas: 13 (3109 palabras) Publicado: 9 de agosto de 2011
E L E C T R O N I C A D I G I T A L

1. Nivel máximo de tensión de transferencia al utilizar interfase de comunicaciones RS-232 es:
c) +- 15v

2. La celda básica de multivibrador biestable es:
a) Flip-Flop

3. El dispositivo TTL que permite lógica alambrada tiene salida:
d) Con tercer estado

4. Circuito lógico cuya salida es alta cuando la entrada A es baja y la entrada B es alta:d)
[pic]
5. Localidad de memoria direccional para un microprocesador con 20 líneas de dirección son: 220
d) 1,048,576

6. Equivalente hexadecimal de un número octal 427638 es:
b) 45f3

7. El equivalente BCD de -46 es:
d) 11000110

8. El voltaje analógico a plena escala de un convertidor D/A es 10v, el valor del bit menos significativo (LSB) es aproximadamente 2.4414mv, el número debits del convertidor es:
d) 12

9. Al usar la interfase de comunicación RS-232-C la velocidad en kbits por segundo es:
a) 20

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

1. Un material intrínseco es aquel que contiene:
d) Una cantidad insignificante de impurezas

2. En un cristal de cuarzo típico la relación entre su frecuencia de oscilación f0 y su frecuencia de resonancia serie fs y paralelo fp ,es:
b) fs < fo < fp

2.1 Características que no entran en un BJT…
b) Impedencia

3. La curva IC-VCE de un BJT puede ser utilizada para evaluar:
a) hfe y hie

4. Para aplicar el concepto de tierra virtual es necesario que:
b) Exista retroalimentación negativa y la entrada no inversora se conecte a tierra

5. Dispositivo que es alimentado con corriente alterna:
c) SCR

6. ¿Cual esel valor de RD en kΩ?
a) 10 k

7. En el circuito anterior con un diodo de silicio:
Determinar la corriente:
c) 0.05A

8. El valor de RB, (RB=RB1║RB2)
a) 50.0kΩ

9. Considere β =100, El punto de operación VCEQ, ICQ del circuito es:
c) 0.20v 9.90mA

10. La resistencia R que permite al circuito funcionar como regulada
c) 500Ω

11. En un transistor BJT IB=1mA Ic=80mA estavariando por 100mA, Ic esta variando por 10mA, el valor de β es:

[pic]

A N A L Ó G I C A

6. En el circuito donde ib- = ib+ la resistencia Rc (Rc= Ri || RT) se utiliza para compensar la:

a) Corriente de polarización de la entrada inversora ( ib- )

7. Para el circuito de polarización, la corriente IDQ es:
d) 2.57mA

8. Si se desea amplificar una señal con un tiempo de subida de0.1μs, la frecuencia superior de corte mínima del amplificador en Mhz es:
d) 3.5

9. Si un amplificador No-inversor construido con un amplificador operacional de producto de ganancia unitaria-ancho de banda de 1MHz tiene una ganancia de 10, su ancho de banda es lo más cercano a:
d) 10 MHZ

10. Despreciando la corriente de base de los transistores y las tensiones base – emisor tanto del pardiferencial como de la fuente de corriente, la corriente IE1 es lo mas cercano a:
b) 1.0mA

11. Del circuito equivalente híbrido en π de BJT, la capacidad en Miller, CM se calcula con:
b) CM = (1 + gmRL) Cb’e

12. Si el ancho de banda del circuito de entrada / salida es de 100 KHz, entonces el ancho de banda de ganancia unitaria del operador amplificador es:
d) 10 KHz

13. Si en el circuitomostrado se tiene que Vx = 1/3 Vo, para un tal que Xc = R, el valor de Rf para que se comporte como oscilador es:
a) 100,200,400 y 900Ω

14. La tensión es lo más cercano a:
d) 23.8 V

16. Características de los semiconductores mas comunes…
a) Silicio y Germanio, tienen propiedades intermedias entre los metales y los no metales.

T E O R I A D E C I R C U I T O S

1. Si en un capacitorideal de 1μf existe una tensión constante de 1v la corriente en amperes (a) la corriente en amperes a través de él es:

R) = 1μA

2. Si se considera despreciable la resistencia de los alambres y cada resistencia es de 1 Ω cual es la resistencia equivalente entre A y B:
c) 1 Ω

3. De los circuitos anteriores. ¿Son conexiones ideales?
d) IV y II

4. Una red esta en resonancia cuando:...
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