Electrnica Digital
1. Nivel máximo de tensión de transferencia al utilizar interfase de comunicaciones RS-232 es:
c) +- 15v
2. La celda básica de multivibrador biestable es:
a) Flip-Flop
3. El dispositivo TTL que permite lógica alambrada tiene salida:
d) Con tercer estado
4. Circuito lógico cuya salida es alta cuando la entrada A es baja y la entrada B es alta:d)
[pic]
5. Localidad de memoria direccional para un microprocesador con 20 líneas de dirección son: 220
d) 1,048,576
6. Equivalente hexadecimal de un número octal 427638 es:
b) 45f3
7. El equivalente BCD de -46 es:
d) 11000110
8. El voltaje analógico a plena escala de un convertidor D/A es 10v, el valor del bit menos significativo (LSB) es aproximadamente 2.4414mv, el número debits del convertidor es:
d) 12
9. Al usar la interfase de comunicación RS-232-C la velocidad en kbits por segundo es:
a) 20
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
1. Un material intrínseco es aquel que contiene:
d) Una cantidad insignificante de impurezas
2. En un cristal de cuarzo típico la relación entre su frecuencia de oscilación f0 y su frecuencia de resonancia serie fs y paralelo fp ,es:
b) fs < fo < fp
2.1 Características que no entran en un BJT…
b) Impedencia
3. La curva IC-VCE de un BJT puede ser utilizada para evaluar:
a) hfe y hie
4. Para aplicar el concepto de tierra virtual es necesario que:
b) Exista retroalimentación negativa y la entrada no inversora se conecte a tierra
5. Dispositivo que es alimentado con corriente alterna:
c) SCR
6. ¿Cual esel valor de RD en kΩ?
a) 10 k
7. En el circuito anterior con un diodo de silicio:
Determinar la corriente:
c) 0.05A
8. El valor de RB, (RB=RB1║RB2)
a) 50.0kΩ
9. Considere β =100, El punto de operación VCEQ, ICQ del circuito es:
c) 0.20v 9.90mA
10. La resistencia R que permite al circuito funcionar como regulada
c) 500Ω
11. En un transistor BJT IB=1mA Ic=80mA estavariando por 100mA, Ic esta variando por 10mA, el valor de β es:
[pic]
A N A L Ó G I C A
6. En el circuito donde ib- = ib+ la resistencia Rc (Rc= Ri || RT) se utiliza para compensar la:
a) Corriente de polarización de la entrada inversora ( ib- )
7. Para el circuito de polarización, la corriente IDQ es:
d) 2.57mA
8. Si se desea amplificar una señal con un tiempo de subida de0.1μs, la frecuencia superior de corte mínima del amplificador en Mhz es:
d) 3.5
9. Si un amplificador No-inversor construido con un amplificador operacional de producto de ganancia unitaria-ancho de banda de 1MHz tiene una ganancia de 10, su ancho de banda es lo más cercano a:
d) 10 MHZ
10. Despreciando la corriente de base de los transistores y las tensiones base – emisor tanto del pardiferencial como de la fuente de corriente, la corriente IE1 es lo mas cercano a:
b) 1.0mA
11. Del circuito equivalente híbrido en π de BJT, la capacidad en Miller, CM se calcula con:
b) CM = (1 + gmRL) Cb’e
12. Si el ancho de banda del circuito de entrada / salida es de 100 KHz, entonces el ancho de banda de ganancia unitaria del operador amplificador es:
d) 10 KHz
13. Si en el circuitomostrado se tiene que Vx = 1/3 Vo, para un tal que Xc = R, el valor de Rf para que se comporte como oscilador es:
a) 100,200,400 y 900Ω
14. La tensión es lo más cercano a:
d) 23.8 V
16. Características de los semiconductores mas comunes…
a) Silicio y Germanio, tienen propiedades intermedias entre los metales y los no metales.
T E O R I A D E C I R C U I T O S
1. Si en un capacitorideal de 1μf existe una tensión constante de 1v la corriente en amperes (a) la corriente en amperes a través de él es:
R) = 1μA
2. Si se considera despreciable la resistencia de los alambres y cada resistencia es de 1 Ω cual es la resistencia equivalente entre A y B:
c) 1 Ω
3. De los circuitos anteriores. ¿Son conexiones ideales?
d) IV y II
4. Una red esta en resonancia cuando:...
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