ELECTRONICA DE LA AERONAVE

INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

CECYT No 3 “ESTANISLAO RAMIREZ RUIZ”

ASIGANTURA: ELECTRONICA DE LA AERONAVE

GRUPO: 5IM14

INTEGRANTES:
MARTÍNEZ ROSSETE PAOLA
RAMÍREZ NICOLÁS DANTEPRÁCTICA No 7

“TRANSISTORES”

PROFESROR: ING. LEOPOLDO DAVID GUZMÁN RAMOS

ESPECIALIDAD: AERONAUTICA
TRANSISTORES
Objetivo: El objetivo de esta práctica es observar las características corrientetensión de un transistor bipolar, comprobar su punto de operación estacionario y mostrar su aplicación en la realización de circuitos amplificadores.

CONSIDERACIONES TEORICAS
Un transistor bipolar(BJT) está formado por tres regiones de semiconductor dopadas alternativamente, en cada una de las cuales se establece un contacto metálico. Existen dos tipos:




Tomaremos como referencia paraaplicar las tensiones el terminal de emisor. Cuando las tensiones aplicadas
a la base y al colector son negativas en los transistores p‐n‐p o positivas en los transistores n‐p‐n, decimos que eltransistor está trabajando/polarizado en la zona activa directa. En estas condiciones de polarización, al estar la
unión base‐emisor en directa y la base‐colector en inversa, se cumple que la corrientede colector, IC, prácticamente no depende de la tensión aplicada al colector y es proporcional a la corriente de base, IB:
IC= F× IB
Siendo F la ganancia en corriente del transistor.

Si lacorriente de base no es suficientemente alta el transistor no conducirá (IC=0), es lo que se llama región de corte, mientras que para pequeñas tensiones aplicadas al colector estamos en la región desaturación (IC no es constante con VCE)


A) Transistor bipolar
Consta de tres cristales semiconductores
(Usualmente de silicio) unidos entre si. Segun como
se coloquen los cristales hay dos tiposbasicos de
transistores bipolares.
- Transistor NPN: en este caso un cristal P esta
situado entre dos cristales N. Son los mas
comunes.
- Transistor PNP: en este caso un cristal N esta
situado...