electronica de potencia

Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador controlado de silicio (SCR) es, sin duda, de gran interés en la actualidad. Se presentó por primera vez en 1956 por los Laboratorios BellTelephone.

Algunas de las muchas áreas de aplicación de los SCRs incluyen controles de relevador, circuitos de retardos de tiempo, fuentes de alimentación reguladas, interruptores estáticos,controles de motores, recortadores, inversores, ciclo-convertidores, cargadores de baterías, circuitos de protección, controles de calefacción y controles de fase.

En años recientes, los SCRs se handiseñado para controlar potencias de hasta 10 MW con niveles individuales tan altos como 2000 A a 1800 V. Su rango de frecuencia de aplicación también se ha extendido hasta cerca de 50 kHz, lo que hapermitido algunas aplicaciones de alta frecuencia como la calefacción inductiva y la limpieza ultrasónica.
Circuito equivalente SCR:
Al igual que la operación de un diodo de 4 capas, la operación del SCRse entiende mejor si su estructura pnpn interna se ve como una configuración de dos transistores, como muestra la figura 4. Las capas pnp superiores actúan como un transistor, Q1; las capas npninferiores lo hacen como un transistor, Q2.
Características y valores nominales del SCR
Voltaje de ruptura en directa, V(BR)F: Éste es el voltaje al cual el SCR entra a la región de conducción endirecta. El valor de V(BR)F es máximo cuando IG = 0 y se designa V(BR)F. Cuando se incrementa la corriente en la compuerta, VBR(F) se reduce y se designa V(BR)F1 o VF1, V(BR)F2 o VF2, y así sucesivamente,con incrementos graduales de la corriente en la compuerta (IG1, IG2, y así sucesivamente).
Características y valores nominales del SCR
Voltaje de ruptura en directa, V(BR)F: Éste es el voltaje alcual el SCR entra a la región de conducción en directa. El valor de V(BR)F es máximo cuando IG = 0 y se designa V(BR)F. Cuando se incrementa la corriente en la compuerta, VBR(F) se reduce y se...