Electronica de potencia

ELECTRÓNICA DE POTENCIA
TAREA No.-

1.- HISTORIA Y EVOLUCIÓN DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA
A) Inicia en 1900 con la introducción del Rectificador De Arco De Mercurio. Gradualmente, también elrectificador de tanque de mercurio, el de tubo vacío controlado por rejilla, ignitrón, fanotrón y tiratrón, aplicados al control de potencia hasta los ´50.

B)En 1948, ocurrió la 1ra Revolución cuandose inventó el transistor de silicio en lo Bell Telephone Laboratories por Bardeen, Brattain y Schockley.
La microelectrónica moderna ha ido desarrollándose a partir de este invento. En 1956 seinventó, también en los Bell Laboratories, el transistor de disparo PNPN (Tiristor o rectificador controlado de silicio, SCR). La 2da revolución fue en 1958 con el tiristor comercial por general electriccompany (Fue el principio de una nueva era de la electrónik de potencia)

C) La revolución microelectrónica permitió procesar grandes cantidades de información con una gran rapidez; conformar ycontrolar grandes cantidades de potencia con una eficiencia siempre creciente; están surgiendo muchas aplicaciones potenciales de la electrónica de potencia.

2.- ÁREAS DE APLICACIÓN DE LA ELECTRÓNICA DEPOTENCIA
A) Abrepuertas eléctricos, alarmas, amplificadores de audio, computadoras, Juegos De Video (Electrónica), aceleradores de partículas (Física), acondicionamiento de aire, alumbrado de altafrecuencia, arranques de máquinas síncronas, electrodomésticos, fuentes de poder(Electricidad), fotocopias, Hornos, Láseres, Máquinas De coser, Minería, Semáforos, relojes, Trenes, Etc.

3.-DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES EMPLEADOS EN LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA
A) Diodos De Potencia, Transistores (Se dividen estos también en Unión Bipolar, BJT; Transistores de Efecto De Campo De Óxido De MetalSemiconductor, MOSFET; Bipolares De Compuerta Aislada, IGBT; SIT; JFET) y Tiristores (GTO, RCT, SITH, GATT, LASCR, IGCT, MCT)

B)

C)

BIBLIOGRAFÍA:

* Muhamad H. Rashid
* Electrónica De...