Electronica digital, feedback.

EJERCICIO FEEDBACK
ELECTRÓNICA DIGITAL

Alumno: Ismael Vilacoba Vieito.
DNI: 45861249P

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1.- Introducción.
La función básica de las memorias es almacenar información. Sin embargo las memorias tienen la función específica de escribir y
leer los datos en su interior.
Las operaciones básicas de una memoria consisten en leer y almacenar información mediante el uso del bus de datos y
direcciones.Estas operaciones ocurren en un orden lógico, el cual se indica a continuación:
- Apuntar a la dirección de memoria que se desea leer o escribir mediante el uso del bus de direcciones
Selección del tipo de operación: Lectura o escritura.
Cargar los datos a almacenar (en el caso de una operación de escritura)
Retener los datos de la memoria (en el caso de una operación de lectura)
- Habilitar odeshabilitar la memoria para una nueva operación.
2.- Memorias de Acceso Aleatorio
Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como memorias RAM de la sigla en inglés Random Access Memory. Se
caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y contienen un conjunto de variables de dirección que permiten seleccionar
cualquier dirección de memoria de forma directa e independiente de la posición enla que se encuentre.
Estas memorias son volátiles, es decir, que se pierde la información cuando no hay energía y se clasifican en dos categorías
básicas: la RAM estática y la RAM dinámica, las cuales se describen en las siguientes dos secciones.
2.1.- Memoria RAM estática
Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static Random Access Memory) se compone de celdas conformadas por flip-flopsconstruidos generalmente con transistores MOSFET, aunque también existen algunas memorias pequeñas construidas con
transistores bipolares.
2.2.- SRAM Sincrónica
Al igual que en los sistemas sincrónicos, este tipo de memoria tiene una entrada de reloj, la cual le permite operar en sincronía
con otros dispositivos. Esta característica no aporta mejores beneficios, sin embargo simplifica enormemente el diseñode
sistemas de alta prestaciones, ya que una única señal controla todos los dispositivos involucrados. La ventaja de estas memorias
viene proporcionada por lo que se podría llamar su funcionamiento automático, guiado por la señal de reloj, por lo que no es
necesario ocuparse de generar las señales de control.
2.3.- SRAM de Ráfaga
Las memorias de ráfagas (burst) son sincrónicas y se caracterizanpor incluir un contador que permite que la memoria genere
internamente la dirección a la que debe acceder, consiguiendo de esta forma accesos hasta cuatro posiciones de memoria con
una sola dirección de referencia. Esto permite acceder de forma más rápida a la información en memoria.
2.4.- SRAM Pipeline
Con los dos tipos de memorias anteriores se consigue el acceso a posiciones consecutivas deforma rápida. Para mantener esta
velocidad cuando se cambia de secuencia, las memorias pipeline incluyen un buffer para almacenar la dirección y los datos
actuales proporcionados por la memoria. De esta forma, se puede enviar la nueva dirección antes de terminar la lectura,
consiguiendo así que la CPU no espere la finalización del acceso a una posición de memoria para generar la nueva dirección.
2.5.-Memoria RAM dinámica
Este tipo de memoria conocida como DRAM (Dinamic Random Access Memory), a diferencia de la memoria estática se compone
de celdas de memoria construidas con condensadores. Las celdas de memoria son de fabricación más sencillas en comparación a
las celdas a base de transistores, lo cual permite construir memorias de gran capacidad.
La operación de la celda es similar a la de uninterruptor, cuando el estado en la fila se encuentra en alto, el transistor entra en
saturación y el dato presente en el bus interno de la memoria (columna) se almacena en el condensador, durante una operación
de escritura y se extrae en una operación de lectura. El inconveniente que tiene este tipo de memorias consiste en que hay que
recargar la información almacenada en las celdas, por lo...