electronica diodos
INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL
ESIME
CULHUACAN
De la Torre González Marco Andrés
No. Boleta..: 2012351352
Diodo shockley, varicap, zener, foto diodo, foto celda ,foto resistencia ,termistor y diodo túnel.
Electrónica Analógica
4CV1
DIODO SHOCKLEY
Este dispositivo fue desarrollado por William Bradford Shockley tras abandonar losLaboratoriosBell y fundar Shockley Semiconductor. Fueron fabricados por Clevite-Shockley.
Shockley y varios colegas de los laboratorios estudiaron el fenómeno de la corriente inversa en las uniones p-n,explicándolo según la teoría de Clarence M. Zener sobre la ruptura eléctrica en dieléctricos sólidos. La aplicación práctica de este fenómeno se materializó en un diodo semiconductor que Shockley bautizó comodiodo Zener.
En 1955 vio la luz un nuevo descubrimiento, el diodo de cuatro capas semiconductoras denominado en primera instancia diodo conmutador y conocido posteriormente como diodo Shockley, sobreel cual recibió la patente US2855524 en 1958. En esta patente muestra el diodo en un circuito telefónico, pero también lo empleó en un registro de desplazamiento y en otros circuitos.
Shockleycontribuyó además, de manera decisiva, a las técnicas de fabricación de semiconductores desarrollando dos métodos que se convirtieron en fundamentales; el proceso de difusión (patente US2816847) y el deimplantación iónica (patente US2787564).
El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por cuatro capas semiconductoras npnp, cuya estructura y símbolo se describen en lasfiguras.
Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en separar su estructura física en dos mitades.
La mitad izquierda es un transistor NPN y la mitad derecha PNP,resultando el circuito mostrado en la figura 12.3.d que normalmente es referido como candado.
Las características eléctricas de un diodo de cuatro capas se muestran en la gráfica de la figura. En esta...
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