Electronica Iii
Páginas: 4 (941 palabras)
Publicado: 17 de junio de 2012
Control de Motores DC: El Puente H
Simón Rodríguez, Edison Coral , Jhomar Mena
Universidad de Nariño
Ipiales, Colombia
leaosir@hotmail.com
edi_mur@hotmail.com
maflamarcelo21@hotmail.com
Abstract:In this Laboratory seeks to design an H-Bridge with MOSFET's transistors, The H-Bridge modify the direction of rotation of the DC motor, if a diagonal's transistors are active, the motor to start toturn, but if the bias is changed, the motor turn in another sense.
1 Introducción
En el laboratorio Control de Motores DC se realizara un diseño de un puente H utilizando transistores MOSFET paracontrolar el sentido de giro de un Motor DC.
Los transistores MOSFET tienen 3 regiones de trabajo: Región de Corte, región de Tríodo y región de Saturación; en esta práctica se necesita que eltransistor MOSFFET trabaje en las regiones de CORTE Y TRIODO para que funcione como interruptor, primero se identifica los parámetros de Voltaje Umbral y Corriente de Drenador con la hoja de característicasdel transistor IRF730 para empezar a realizar el diseño del puente H. Luego, se utiliza 4 transistores IRF730 formando una H con el motor como se observa en la figura nº 1, dependiendo de los parámetrosantes mencionados se busca activar los dos primero transistores en diagonal para conseguir un sentido de giro y al activar los otros dos el sentido de giro opuesto. Al estar una diagonal detransistores activa la otra debe estar en zona de corte.
2 Procedimiento
* Se realizara el diseño de un puente H utilizando la hoja de características del transistor IRF730
* Se identifica Vt=3V,Id=5A
* Se realizan los cálculos de voltajes del transistor VG, VD y VS para que los transistores estén en región de corte o para la región de tríodo dependiendo el sentido de giro que se requiera.VG-VS<Vt →Region de Corte
VGS>Vt ⇔ VDS<VGS-Vt ⇔ VGD>Vt→ R. Triodo
3 Resultados
Para el diseño del puente H en el transistor se estableció:
Transistor IRF730
Vt=3V
Id=5A
GIRO...
Simón Rodríguez, Edison Coral , Jhomar Mena
Universidad de Nariño
Ipiales, Colombia
leaosir@hotmail.com
edi_mur@hotmail.com
maflamarcelo21@hotmail.com
Abstract:In this Laboratory seeks to design an H-Bridge with MOSFET's transistors, The H-Bridge modify the direction of rotation of the DC motor, if a diagonal's transistors are active, the motor to start toturn, but if the bias is changed, the motor turn in another sense.
1 Introducción
En el laboratorio Control de Motores DC se realizara un diseño de un puente H utilizando transistores MOSFET paracontrolar el sentido de giro de un Motor DC.
Los transistores MOSFET tienen 3 regiones de trabajo: Región de Corte, región de Tríodo y región de Saturación; en esta práctica se necesita que eltransistor MOSFFET trabaje en las regiones de CORTE Y TRIODO para que funcione como interruptor, primero se identifica los parámetros de Voltaje Umbral y Corriente de Drenador con la hoja de característicasdel transistor IRF730 para empezar a realizar el diseño del puente H. Luego, se utiliza 4 transistores IRF730 formando una H con el motor como se observa en la figura nº 1, dependiendo de los parámetrosantes mencionados se busca activar los dos primero transistores en diagonal para conseguir un sentido de giro y al activar los otros dos el sentido de giro opuesto. Al estar una diagonal detransistores activa la otra debe estar en zona de corte.
2 Procedimiento
* Se realizara el diseño de un puente H utilizando la hoja de características del transistor IRF730
* Se identifica Vt=3V,Id=5A
* Se realizan los cálculos de voltajes del transistor VG, VD y VS para que los transistores estén en región de corte o para la región de tríodo dependiendo el sentido de giro que se requiera.VG-VS<Vt →Region de Corte
VGS>Vt ⇔ VDS<VGS-Vt ⇔ VGD>Vt→ R. Triodo
3 Resultados
Para el diseño del puente H en el transistor se estableció:
Transistor IRF730
Vt=3V
Id=5A
GIRO...
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