Electronica Industrial

I EXAMEN ELECTRONICA INDUSTRIAL.
SELECCIÓN.
1.- Son tiristores:
A) UJT, PUT, SCR.
B) SCR, SCS, CMOS.
C) PUT, GTO, SCS.
D) todos los anteriores.


2.- Es el dispositivo electrónico más robusto:
A) GTO.
B) SCR.
C) IGBT.


3.- Forma de abrir un SCR:
A) Reducir la corriente de mantenimiento.
B) Aumentar la temperatura.
C) Aplicar pulsosde polarización directa.
D) Ninguna de las anteriores.

4) Se colocará una inductancia en serie con un TRIAC o tiristor:
a) Para proteger al elemento activo frente a sobre intensidades presentes en cargas inductivas.
b) Para proteger al elemento activo frente a flancos de subida fuertes en cargas resistivas.
c) Para suavizar el arranque de motores.
Porque todo el mundo lohace.


5) El tiristor es un componente semiconductor que:
a) Maneja mucha intensidad a baja frecuencia.
b) Maneja mucha intensidad a alta frecuencia.
c) Maneja poca intensidad a alta frecuencia.
d) Maneja poca intensidad a baja frecuencia.

RESPUESTA BREVE (por favor explique)
1.- Desventajas de los tiristores.
(-Trabajan a bajas frecuencias –baja velocidad de conmutación

2.- Que significa GTO.Ventajas del GTO.
(-GTO Gate Turn Off -se puede apagar por compuerta – disipa menos potencia -genera menos calor

3.- Como prueba un SCR.
(-se coloca los teminales de tester en forma inversa entre Anodo Y catodo y se puentea la compuerta con el catodo y se observa que la resistencia disminuye y al quitar el puente aumenta de nuevo

4.- Explique el significado de dv/dt de unTRIAC. ¿También los SCR tienen un régimen dv/dt?
(dv/dt es la máxima variación de voltaje admisible sin disparo que se presenta tanto en el TRIAC como en el SCR

PROBLEMAS.
1.- Resuelva de la sección 4.5 ejercicios 13 y 14.

2.- Resuelva de la sección 5.3 ejercicio 9.

3.- Resuelva de la sección 6.9 ejercicio 33.

EJERCICIO DE APLICACION.
En el circuito que se presenta adjunto explique sufuncionamiento y aplicación







SELECCIÓN.
1.- LOS UJT SON:
A)-DISPOSITIVOS MONOUNION.
B)-DISPOSITIVOS UNIPOLARES.
C)-DISPOSITIVOS UNIPOLARES Y MONOUNION.

2.- SI SE DAÑA UN SCR PUEDO REEMPLAZARLO CON:
a) UN DIODO SHOCKLY.
b) UN TRIAC.
c) DOS TRANSISTORES BJT.
d) UN DIAC.

3.- SI SE DAÑA UN UJT PUEDO REEMPLAZARLO CON:
a) UN TRANSISTOR BJT.
b) UN SCR.
c) UN TRIAC.
d) NINGUNO ANTERIORES. ( ES ELPUT )

4) LOS DIODOS SEMICONDUCTORES PUEDEN PROTEGERSE MEDIANTE FUSIBLES SI:
a) LA CARACTERÍSTICA I2T DEL FUSIBLE ES INFERIOR A LA DEL DIODO.
b) LA CARACTERÍSTICA 12T DEL FUSIBLE ES SUPERIOR A LA DEL DIODO.
c) LA CORRIENTE MÁXIMA DEL FUSIBLE ES INFERIOR A LA DEL DIODO.
d) NUNCA SE PODRÁ PROTEGER UN DIODO MEDIANTE UN FUSIBLE.

5) LOS DIODOS SCHOTTKY TIENEN COMO VENTAJA, FRENTE A LOS HIPERRÁPIDOS:
a)SU PRECIO.
b) SU VELOCIDAD DE CONMUTACIÓN.
c) SU VELOCIDAD DE CONMUTACIÓN Y SUS BAJAS PÉRDIDAS EN CONDUCCIÓN.
d) SU GRAN CAPACIDAD DE AGUANTAR TENSIONES INVERSAS ELEVADAS.

RESPUESTA BREVE (Por favor explique)
1.- Explique significado de:
a) IHO (¿porque H? ¿Porque o? ) (Intensity Holding Out ; Corriente de mantenimiento de salida

b) IGT (¿porque G? ¿Porque T? ) (Intesity Gate Trigger ;Corriente de disparo de compuerta

c) VGT ( Voltage Gate Trigger; Volatje de Disparo de Compuerta

2.- ¿Qué efecto tiene sobre vt un incremento en la corriente de ánodo? específicamente, si la corriente de ánodo a cátodo se duplica, ¿también se duplica vt? (su efecto es la máxima variación de voltaje que se presenta sin disparo

3.- a) Expliqueporque hay un límite máximo y un mínimo para el tamaño del resistor de emisor de un circuito UJT.
(su funcionamiento se basa en el control de resistencia tanto en RB1 como RB2

b) mencione la fórmula para determinar los resistores. ( (R1+R2)C1

4.- ¿Qué característica esencial distingue a los tiristores de otros semiconductores?
( Su alta capacidad de corriente – capacidad para trabajar en bajas...