Electronica Integrada

Materiales Semiconductores

Prof. Patricio Cortés

Tipos de semiconductores



A los semiconductores se les pueden agregar impurezas
A esto se le llama DOPAR

Tipo N
Al doparlo con Arsénico (As) se
agrega un electrón (carga negativa)
(fósforo o antimonio)

Tipo P
Al doparlo con Galio (Ga) se agrega
un hueco (carga positiva)
(boto o indio)

Prof. Patricio CortésDiodo Semiconductor

Polarización Inversa

Polarización Directa
Prof. Patricio Cortés

Silicio v/s Germanio


Silicio





Más común en la tierra que el
Ge
Es más usado en altas
temperaturas (200 °C)
Requiere mayor voltaje de
polarización (0,7V)
Corriente inversa menor que Ge



Germanio






Material no tan común en la
tierra
No se puede usar atemperaturas mayores de 100°C
Voltaje de polarización menor
que Si (0,3 V)
Aplicaciones frec. altas

Prof. Patricio Cortés A.

Transistor


Dispositivo semiconductor que permite “variar” o
modificar el paso de corriente entre colector y
emisor, según el control de la corriente de base.

NPN

PNP

Prof. Patricio Cortés

Transistor


Se comporta como dos
diodos opuestosFórmulas para no olvidar

IE  IC  IB
Ic   * IB

Prof. Patricio Cortés

Relación de corrientes


Parámetro alfa


Dependiendo del dopaje, se puede conocer de antemano el
porcentaje de portadores mayoritarios que son inyectados desde
el Emisor y que llegan al Colector



Este porcentaje tiene el nombre de Alfa ( ), es así por ejemplo,
que si en un transistor tipo NPN tiene
=0,9, esto quiere decir
que el noventa por ciento (90%) de los electrones inyectados en el
Emisor llegan al Colector y el resto, es decir, el 10% llegará a la
Base.





Prof. Patricio Cortés

Relación de corrientes


Parámetro beta


Es la relación que existe entre la corriente de colector y la
corriente de base

Ic

 

Ib
1





Al parámetro beta se lellama también HFE (amplificación)
Depende del transistor, de la corriente de colector y de la
temperatura

Considerando Ie  Ib  Ic
pequeña, se puede llegar a:

y que Ib es muy

Ic  Ie
Prof. Patricio Cortés

Recta de Trabajo

IB

Prof. Patricio Cortés

Ejercicio


Encuentre Ib, Ic y Vo

Prof. Patricio Cortés

Amplificador Ideal


Parámetros

Prof. PatricioCortés

Amplificador Real


Parámetros

Prof. Patricio Cortés

Tensión de Offset




Desequilibrio interno del IC que se ve reflejado en a
tensión de salida
Pequeña tensión que produce una salida errónea cuando
no existe señal de entrada.
Para eliminarlo se recomienda colocar un potenciómetro
de 10K entre los pines 1 y 5.

Prof. Patricio Cortés

Tensión de Offset enLM741

Prof. Patricio Cortés

Amplificador Operacional

Amplificador Operacional

Saturación en A.O.
•

Saturación
–

–
–

Se dirá que el A.O. está saturado cuando alcance en la
salida un nivel de tensión determinado, a partir del cual la
señal de salida no puede variar su amplitud.
El nivel de saturación es del orden de 90 % del valor
de ± Vcc (voltaje polarización).
Así porejemplo si alimentamos el A.O. con ± 15 Volts, la
salida alcanza una saturación aproximada de ± 13,5
Volts.

Amplificador Diferencial




Es la base de los amplificadores de instrumentación
Según los valores de R3 y R4 se puede transformar
en un INVERSOR o en un NO-INVERSOR.

 R4   R2 
R
  1    V1  2
Vo  V2  
R R   R 
R1
4  
1 
 3

Recuerden elejercicio visto en clase…

Prof. Patricio Cortés

Regulador Transistorizado


El Transistor BJT como regulador de tensión



Existen dos tipos:


Reguladores en paralelo




el sistema de control esta en paralelo con la carga

Reguladores en serie


el sistema de control está en serie con la carga

Prof. Patricio Cortés

Regulador en paralelo
Vo  Vz  Vbe
Vi ...