electronica practicas

Páginas: 8 (1860 palabras) Publicado: 30 de junio de 2013







ELECTRONICA

ING. ELECTRONICO VICTOR H. ORDOÑEZ N
TSU. ELECTRONICO ANIBAL ROMERO APLICACIONES DEL TRANSISTOR BJT
PRACTICA 2. TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN

COMPETENCIAS DE ESTA PRÁCTICA
Hace pruebaspara saber utilizar el transistor como conmutador.
Observa con cuanta corriente de base se activa el BJT para obtener la corriente y tensión necesaria para accionar el relé.
Aplica cálculos de diseños de tal manera que se logren los valores correspondientes para los parámetros de voltajes y corrientes que maneja el circuito.
Diseña los valores resistivos necesarios para obtener la corriente debase deseada para activar al transistor.
Aplica la búsqueda en el ECG para encontrar las especificaciones del fabricante
para la selección del dispositivo adecuado a los parámetros de voltaje y corriente

MATERIALES A UTILIZAR
2 Resistencias (dependiendo al valor de diseño)
1 Transistor 2N2222
1 Diodo 1N4001
1 interruptor (pulsador)
1 Bombillo 120 VCA, 100 W y Sócate
1 Relé12 VCD, 120 VAC, 6 Amp y 240 VAC, 5 Amp
Cable telefónico (para conexiones)

EQUIPOS Y HERRAMIENTAS A UTILIZAR
2 Fuentes de poder
1 Protoboard
1 Osciloscopio
1 Multimetro
Piquetas, alicates y pinzas

INFORMACION PRELIMINAR
Hasta ahora hemos tratado de los dispositivos electrónicos de dos elementos o electrodos como lo es el diodo rectificador de corriente alterna, como reguladores detensión y corriente, y como cambiador de nivel. En esta práctica vamos a conocer un dispositivo electrónico de tres elementos, el transistor, cuyas características amplían considerablemente el campo de aplicaciones de la electrónica.
El interés científico de los semiconductores condujo al invento del transistor. Este dispositivo semiconductor puede realizar las funciones de amplificación,detección, oscilaciones y conmutación, el transistor funciona con tensiones de alimentación bajas y utiliza poca potencia. No requiere periodo alguno de calentamiento y funciona tan pronto como se le aplica la potencia. Para el transistor de unión como el utilizado en esta practica esta formado por un emparedado de una tira muy delgada de silicio de tipo N entre dos tiras anchas de silicio de tipo P.De las placas metálicas individuales salen

Tres conductores que hacen contactos con los cristales semiconductores respectivos. Todo el conjunto esta alojado en una cápsula o envolvente hermética a la humedad.
Los transistores son dispositivos de estado sólido y son de tipo NPN y PNP. La primera letra designa el material de emisor, la letra central designa la base y la última letra designael material de colector. Por tanto, los transistores contienen dos uniones, la unión emisor-base y la unión colector-base.
Las características de los transistores de unión dependen del grado de dopado del emisor, de la base y del colector; depende también de la geometría del transistor y del método de fabricación. En lo que respecta a la polarización, el transistor se puede considerarconstituido por dos diodos, el diodo emisor base y el diodo colector base. En la mayoría de aplicaciones el diodo emisor base está polarizado en sentido directo y el diodo colector base lo está en sentido inverso, en lo cual el emisor inyecta (emite) o es la fuente de los portadores de corriente en un transistor, en el caso del colector recibe (recoge) la mayoría de los portadores de corriente. La basecontrola la corriente de colector.
La corriente de emisor es la corriente total, y se divide en la corriente de colector y en la corriente de base. La corriente que fluye dentro de un transistor está constituida por los portadores mayoritarios, que son electrones en el material de tipo N y huecos en el material de tipo P. Hay también portadores minoritarios los cuales van como una pequeña...
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