electronica, valvula de vacio, semiconductor, efecto termoionico

1. ¿QUE ES LA ELECTRONICA Y DESDE CUANDO SE REMONTA SU HISTORIA?
Es la rama de la física y especialización de la ingeniería, que estudia y emplea sistemas cuyo funcionamiento se basa en la conducción y el control del flujo microscópico de los electrones u otras partículas cargadas eléctricamente.

Se considera que la electrónica comenzó con el diodo de vacío inventado por John AmbroseFleming en 1904. El funcionamiento de este dispositivo está basado en el efecto Edison. Edison fue el primero que observó en 1883 la emisión termoiónica, al colocar una lámina dentro de una bombilla para evitar el ennegrecimiento que producía en la ampolla de vidrio el filamento de carbón. Cuando se polarizaba positivamente la lámina metálica respecto al filamento, se producía una pequeña corrienteentre el filamento y la lámina. Este hecho se producía porque los electrones de los átomos del filamento, al recibir una gran cantidad de energía en forma de calor, escapaban de la atracción del núcleo (emisión termoiónica) y, atravesando el espacio vacío dentro de la bombilla, eran atraídos por la polaridad positiva de la lámina.

2. ¿QUE ES VALVULA DE VACIO Y SEMICONDUCTORES?
La válvula de vacioes un componente electrónico que consiste en un envase de vidrio o acero en cuyo interior hay dos o más electrodos (conductores con carga eléctrica positiva o negativa), por medio de los cuales puede pasar la corriente.

Los semiconductores son elementos estequiométricos de inconvergencia estática que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como porejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta.

3. ¿CUÁLES SON LOS TIPOS DE SEMICONDUCTORES?
Semiconductores intrínsecos: En un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetraédrica similar a la del carbonomediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia. Las energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio yel germanio respectivamente.

Semiconductores extrínsecos: Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado. Evidentemente, las impurezas deberán formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente átomo desilicio. Hoy en día se han logrado añadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificación del material.

Semiconductor tipo N: se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones). Cuando se añade el material dopante, aporta suselectrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.

Semiconductor tipo P: se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.

4. ¿QUE ES EFECTO TERMOIONOCO? Y DE UN EJEMPLO O GRAFICO
La emisión termoiónica es un fenómeno que se da en los metales. En los...