electronica A

IMPURIFICACION O DOPADO DE LOS SEMICONDUCTORES
En un semiconductor intrínseco las concentraciones de huecos y de electrones pueden alterarse mediante la adición de pequeñas cantidades de elementosllamados impurezas o dopantes, a la composición cristalina

SEMICONDUCTOR TIPO N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos alsemiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se añade el material dopante, aporta sus electrones más débilmente vinculados a losátomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.

SEMICONDUCTOR TIPO P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevandoa cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se añade elmaterial dopante libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que hanperdido un electrón son conocidos como huecos. El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.

UNION P-N
Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componenteselectrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Está formada por la unión metalúrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque también se fabricande Germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algúnotro metal o compuesto químico.

Barrera de potencial.
Tensión que hay entre los extremos de la zona de deplexión. Esta tensión se produce en la unión pn, ya que es la diferencia de potencial...