Electronica i ucv

UNIVERSIDAD CENTRAL DE VENEZUELA FACULTAD DE INGENIERÍA ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA
ASIGNATURA: TIPO DE ASIGNATURA:

Electrónica I
CODIGO: 2216 HORAS/SEMANA: TEORÍA: 4 UNIDADES: 5 PRÁCTICA: 1 LABORATORIO: 2 SEMINARIO: REQUISITOS:

Obligatoria

2107 TRABAJO SUPERVISADO: HORAS TOTALES DE ESTUDIO: 5 SEMESTRE: 5to

PROPÓSITOS Esta asignatura es lacontinuación de los estudios en electrónica que deben cursar los estudiantes del ciclo común en el plan de estudio de Ingeniería Eléctrica y es requisito para cursar otras asignaturas del ciclo común. En la asignatura se adquieren los fundamentos y conocimientos que serán aplicados en los ciclos especializados de la opción de electrónica y control así como en la opción industrial. Además contempla sesionesde laboratorio para afianzar los objetivos generales planteados. OBJETIVO GENERAL Al termino de esta asignatura el estudiante será capaz de reconocer los componentes básicos utilizados en electrónica, así como caracterizar, analizar y diseñar topologías básicas en electrónica analógica, bajo diversos enfoques. OBJETIVOS TERMINALES 1.- Estudiar los efectos de la estructura de la materia ensemiconductores. 2.- Estudiar la Unión p-n como estructura básica de un Diodo. 3.- Analizar los Transistores de Efecto de Campo como elemento de un circuito. 4.- Analizar los Transistores de Unión como elemento de un circuito. 5.- Analizar los amplificadores de potencia en sus diferentes tipos de topología.

OBJETIVOS ESPECIFICOS 1.1.1.ESTRUCTURA DE LA MATERIA Explicar las propiedades atómicas básicasde los materiales conductores.

APROBADO EN CONSEJO DE APROBADO EN CONSEJO DE ESCUELA: FACULTAD: DESDE:

VIGENCIA HASTA:

HOJA /

UNIVERSIDAD CENTRAL DE VENEZUELA FACULTAD DE INGENIERÍA ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA
ASIGNATURA: TIPO DE ASIGNATURA:

Electrónica I
CODIGO: 2216 HORAS/SEMANA: TEORÍA: 4 UNIDADES: 5 PRÁCTICA: 1 LABORATORIO: 2 SEMINARIO:REQUISITOS:

Obligatoria

2107 TRABAJO SUPERVISADO: HORAS TOTALES DE ESTUDIO: 5 SEMESTRE: 5to

1.2.1.3.1.4.1.5.1.6.1.7.-

Describir los nivel de energía distribuidos en bandas de energía en un cristal. Nombrar las propiedades y diferenciar entre los diferentes tipos de materiales: Conductores, Semiconductores y Aislantes. Distinguir entre un semiconductor intrínseco y un semiconductorextrínseco. Nombrar las impurezas donadoras y aceptadoras en semiconductores. Señalar la conductividad y movilidad en semiconductores. Estudiar el efecto Hall en los semiconductores.

2.2.1.2.2.2.3.2.4.2.5.2.6.2.7.2.8.2.9.-

UNIÓN P-N Definir la zona de carga espacial e intensidad de campo eléctrico. Demostrar que la combinación de dos semiconductores uno de tipo n y otro de tipo p posee propiedadesde un rectificador. Estudiar las características de un Diodo Rectificador y un Diodo Zener. Determinar la resistencia dinámica y estático para un Diodo Rectificador y Diodo Zener. Realizar la representación lineal por segmentos de un Diodo Rectificador y Diodo Zener. Indicar los tipos de capacitancias de un Diodo. Estudiar la dependencia de temperatura de los parámetros de un Diodo. Analizarcircuitos con diodos: limitadores y cortadores. Estudiar los rectificadores de media onda y onda completa.
VIGENCIA DESDE: HASTA: HOJA /

APROBADO EN CONSEJO DE APROBADO EN CONSEJO DE ESCUELA: FACULTAD:

UNIVERSIDAD CENTRAL DE VENEZUELA FACULTAD DE INGENIERÍA ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA
ASIGNATURA: TIPO DE ASIGNATURA:

Electrónica I
CODIGO: 2216 HORAS/SEMANA:TEORÍA: 4 UNIDADES: 5 PRÁCTICA: 1 LABORATORIO: 2 SEMINARIO: REQUISITOS:

Obligatoria

2107 TRABAJO SUPERVISADO: HORAS TOTALES DE ESTUDIO: 5 SEMESTRE: 5to

2.10.- Diseñar y Calcular fuentes de alimentación.

3.3.1.3.2.3.3.3.4.3.5.3.6.3.7.3.8.-

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO Indicar los diferentes tipos de transistores de efecto de campo (FET). Estudiar la estructura, funcionamiento y...