electronica

4. 1 ¿Qué es un transistor bipolar (BJT)?
El transistor Bipolar se forma cuando se agrega una segunda región p o región n a un diodo común
pn, por lo cual se puede configurar como NPN o PNP dependiendo del tipo de región que se
agregó, consta de 3 Terminales: Colector, Base y Emisor, para el caso de este transistor las
corrientes de base y de colector fluyen por 2 trayectorias paralelasresultando en una baja
resistencia de Colector-Emisor en Saturación.
4.2 ¿Cuáles son los tipos de (BJT)?
NPN (Transistor BJT con dos regiones N y una región P)
PNP (Transistor BJT con dos regiones P y una región N)
4.3 ¿Cuáles son las diferencias entre los transistores NPN y PNP?
La polaridad de la configuración del transistor, los Transistores NPN reciben un voltaje positivo en
el colector aligual que en la base, mientras que los transistores PNP operan con voltaje negativo
en el colector y en la base.
4.4 ¿Cuáles son las características de entrada de los transistores NPN?
Para los transistores NPN las características de Entrada para la curva Voltaje Base Emisor contra

corriente de Base Ie = Ic + Ib dondeVce1 > Vce2, donde la corriente de base es la corriente de
entrada.
4.5¿Cuáles son las características de salida de los transistores NPN?

Para los transistores NPN las características de Salida para la curva Voltaje Colector- Emisor contra
corriente de Colector son la región de saturación, la región activa y la región de corte

delimitada por la curva característica de la corriente de base Ib, donde va desde Ib=0
hasta Ibn.
4.6 ¿Cuáles son las tres regiones deoperación de los BJT?
Región de Saturación, región activa y Región de corte.
4.7 ¿Qué es la Beta (B) de un BJT?
Es la relación de la corriente de Colector Ic entre la corriente de base Ib, donde beta = Ic / Ib
4.8 ¿Cuál es la diferencia entre la Beta (B) y la beta Forzada (Bf) de los BJT?
La diferencia es que la Beta Forzada se calcula en base a la corriente de Colector mientras
permanece ensaturación el transistor.

4.9 ¿Qué es la transconductancia de los BJT?
Se define como la relación entre el incremento de la corriente del colector a razón del voltaje
Base-Emisor del transistor respectivamente bajo condiciones transitorias.
4.10 ¿Qué es el factor de sobre excitación de los BJT?

4.11 ¿Cuál es el modelo de conmutación de los BJT?

4.12 ¿Cuál es la causa del tiempo deretardo de los BJT?
Ocurre cuando el voltaje de entrada Vb aumenta de 0 a v1 y la corriente de base aumenta a Ib1 la
corriente de colector no responde de inmediato generando un retardo Td.
4.13 ¿Cuál es la causa del tiempo de Almacenamiento de los BJT?
Es cuando el voltaje de entrada se invierte de B1 a B2 y la corriente de base también cambia a
Ib2, la corriente del colector no cambia duranteun tiempo Ts llamado tiempo de almacenamiento.
4.14 ¿Cuál es la causa del tiempo de subida de los BJT?
SE genera por la diferencia de tiempo existente entre el tiempo de encendido y el tiempo de
activación del transistor.
4.15 ¿Cuál es la causa del tiempo de caída en los BJT?
Depende de la constante de tiempo que esta determinada por la capacitancia de la unión BEJ con
polarización inversa.4.16 ¿Cuál es el modo de saturación de los BJT?
En el transistor la corriente de base es suficientemente alta como para que el voltaje Vce sea bajo
y el transitorio actúe como un interruptor.
4.17 ¿Que es el tiempo de encendido de los BJT?
Es la suma del tiempo de retardo mas el tiempo de subida
4.18 ¿Que es el tiempo de apagado de los BJT?
Es l suma del tiempo de almacenamiento y el tiempode caída
4.19 ¿Qué es un FBSOA de los BJT?

Es el área de operación segura en polarización directa. Durante las condiciones de activación
y de estado activo, la temperatura promedio de la unión y la segunda avalancha limitan la
capacidad de manejo de potencia en un transistor. Los fabricantes suelen proporcionar las
curvas FBSOA
bajo condiciones especificadas de prueba. FBSOA indica los...