Electronica
Páginas: 4 (815 palabras)
Publicado: 2 de julio de 2011
PRÁCTICA # 5
AMPLIFICADORES BASADOS EN FETS Y MOSFETS
OBJETIVOS
✓ Analizar los parámetros Idss y Vp de un Fet.
✓ Analizar las características de un amplificador con FET.
✓ Cálculo dela ganancia de voltaje usando Mosfet.
✓ Utilizar el simulador Pspice como soporte para análisis de los resultados obtenidos en la práctica.
TEORÍA
Existen dos clases diferentes de Fets: losde unión, a los que denominaremos sencillamente Fet, y los de puerta aislada, conocidos como transistores MOS por el tipo de tecnología utilizada (Metal-Oxide-Semiconductor).
El FET puede trabajartanto en circuitos digitales como lineales. En un amplificador analógico se lo hace trabajar en la zona lineal con polarización inversa de puerta a fuente.
Los Fets de unión se dividen en FET decanal n y FET de canal p. Ambos transistores tienen tres terminales, denominados surtidor o fuente, drenador y compuerta.
Los Fets se los puede auto polarizar. A semejanza con los BJT, el FET puedetener varios tipos de configuración: surtidor común, drenador común y puerta común. El más utilizado es el drenador común.
La relación entre la corriente de drenador y el voltaje puerta-surtidorviene dada por la siguiente expresión:
[pic]
Donde IDSS es la corriente de saturación cuando VGS = 0 y VGS (OFF) = VP el voltaje de contracción o estrechamiento del canal.Por su constitución, los transistores MOS, son dispositivos que presentan una mayor resistencia de entrada que los FET de unión.
Existen transistores MOS de enriquecimiento y de empobrecimiento. Enlos primeros, el canal se forma por el efecto del voltaje aplicado a la puerta. En los segundos, el canal va desapareciendo al aplicar voltaje a la puerta. Tantos unos como otros pueden ser de canal no de canal p; por lo tanto, hay cuatro tipos diferentes de MOS. La ecuación que relaciona la corriente del drenador con el voltaje de puerta para el mosfet de empobrecimiento es idéntica a la de...
AMPLIFICADORES BASADOS EN FETS Y MOSFETS
OBJETIVOS
✓ Analizar los parámetros Idss y Vp de un Fet.
✓ Analizar las características de un amplificador con FET.
✓ Cálculo dela ganancia de voltaje usando Mosfet.
✓ Utilizar el simulador Pspice como soporte para análisis de los resultados obtenidos en la práctica.
TEORÍA
Existen dos clases diferentes de Fets: losde unión, a los que denominaremos sencillamente Fet, y los de puerta aislada, conocidos como transistores MOS por el tipo de tecnología utilizada (Metal-Oxide-Semiconductor).
El FET puede trabajartanto en circuitos digitales como lineales. En un amplificador analógico se lo hace trabajar en la zona lineal con polarización inversa de puerta a fuente.
Los Fets de unión se dividen en FET decanal n y FET de canal p. Ambos transistores tienen tres terminales, denominados surtidor o fuente, drenador y compuerta.
Los Fets se los puede auto polarizar. A semejanza con los BJT, el FET puedetener varios tipos de configuración: surtidor común, drenador común y puerta común. El más utilizado es el drenador común.
La relación entre la corriente de drenador y el voltaje puerta-surtidorviene dada por la siguiente expresión:
[pic]
Donde IDSS es la corriente de saturación cuando VGS = 0 y VGS (OFF) = VP el voltaje de contracción o estrechamiento del canal.Por su constitución, los transistores MOS, son dispositivos que presentan una mayor resistencia de entrada que los FET de unión.
Existen transistores MOS de enriquecimiento y de empobrecimiento. Enlos primeros, el canal se forma por el efecto del voltaje aplicado a la puerta. En los segundos, el canal va desapareciendo al aplicar voltaje a la puerta. Tantos unos como otros pueden ser de canal no de canal p; por lo tanto, hay cuatro tipos diferentes de MOS. La ecuación que relaciona la corriente del drenador con el voltaje de puerta para el mosfet de empobrecimiento es idéntica a la de...
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