Electronica

PRÁCTICA n0. 1
PARAMETROS Y AUTOPOLARIZACION DEL FET
OBJETIVO:
El objetivo es obtener los parámetros y la curva de transconductancia del JFET, así como su auto polarización del mismo.INTRODUCCIÓN
Los transistores son los elementos básicos para la amplificación de señales eléctricas. Existen dos tipos básicos de transistores. El transistor de efecto de campo(FET), en los cuales los portadores son de un solo tipo y por tanto, se llaman unipolares; son los transistores de efecto de campo, llamados así porque el control de la corriente que se ejerce mediante lainfluencia de un campo eléctrico exterior. Un transistor de efecto de campo (FET) está constituido por una barra de semiconductor tipo N llamada canal, que presenta dos terminales al exterior: fuentey drenando, con dos regiones de material tipo P a ambos lados, unidas entre sí formando la terminal de puerta.
Fuente o Surtidor S (Source): Terminal por donde entran los portadores provenientes dela fuente externa de polarización.
Drenador D (Drain): Terminal por donde salen los portadores procedentes de la fuente y que atraviesan el canal.
Puerta G (Gate): Terminal constituida por dosregiones fuertemente impurificadas a ambos lados del canal y que controlan en éste la cantidad de portadores que lo atraviesan.
Su principio de funcionamiento se basa fundamentalmente en los efectosproducidos por la región agotada que se crea en las proximidades de toda unión P-N cuando esta se polariza inversamente.
IDSS: Corriente de saturación drenaje-fuente. Es el valor de la corriente dedrenaje a fuente en la región de estrangulamiento cuando VGS = 0. Por lo tanto, este parámetro indica la máxima corriente que puede fluir a través del JFET.
VGS (OFF): Voltaje de corte decompuerta-fuente. Es en el cual ID = 0. Este parámetro es negativo para un JFET de canal N y positivo para uno de canal P. A este parámetro también se le llama VP.
DESARROLLO
En esta práctica lo que se realizo...