Electronica


INSTIUTO TECNOLOGICO DE CIUDAD JUAREZ



ELECTRONICA


FOLDER DE EVIDENCIAS



ALUMNO: NESTOR GABRIEL FLORES CARRILLO.



ING. ARMANDO PEINADO RENTERIA



UNIDAD 1
INDICE
TEMAS PAG.
1.1 MATERIALES EXTRINSECOS P Y N 3-4
1.2 UNION P-N 5
1.3POLARIZACION DIRECTA 6
1.4 POLARIZACION INVERSA 7-8
1.5 CURVA CARACTERISTICA TENSION-CORRIENTE 9-10
1.6 DIODO IDEAL Y DIODO REAL 11
1.7 CARACTERISTICAS Y APLICACIONES DE LOS DIODOS 12-14
MAPA CONCEPTUAL ELECTRONICA 15
MAPA MENTAL ELECTRONICA 16
EXAMENES UNIDAD 1 17-18





1.1MATERIALES EXTRINSECOS P Y N.


Tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso dedopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones).
Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.
Elpropósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese el caso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia, tales como los delgrupo VA de la tabla periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da como resultado la formación de "electrones libres", el número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos, en ese caso loselectrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón libre en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final decero....
En cuanto a la conductividad del material, esta aumenta de una forma muy elevada, por ejemplo; introduciendo sólo un átomo donador por cada 1000 átomos de silicio, la conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio puro.







TIPO P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poderaumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es añadido, éste liber
a los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.
El propósito del dopaje tipo P es el decrear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un átomo tetravalente (típicamente del grupo IVA de l
a tabla periódica) de los átomos vecinos se le une completando así sus cuatro enlaces. Así los dopantes crean los "huecos". Cada hueco está asociado con un Ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene eléctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada huecose ha desplazado por la red, un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrón. Por esta razón un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores mayoritarios,...