Electronica
Páginas: 5 (1062 palabras)
Publicado: 22 de septiembre de 2011
LABORATORIO Nº 2 TRANSISTOR BIPOLAR
NOMBRE ALUMNOS:____________________________________________________________
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El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base-, que, atendiendo a su fabricación, puede ser de dos tipos: NPN y PNP.La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del transistor; en un PNP la flecha apunta hacia dentro. Además, en funcionamiento normal, dicha flecha indica el sentido de la corriente que circula por el emisor del transistor.
El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de lacorriente que circula entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unión emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y
un diodo en inversa (unión base-colector), por el que, en principio, no debería circular corriente, pero que actúa como una estructura que recoge gran parte de la corriente quecircula por emisor base.
OBJETIVO
• Obtener y analizar las diferentes curvas características de un transistor:
Curva de entrada, de ganancia de corriente, de salida y la de transferencia.
• Determinar Diferentes aplicaciones del TR mediante el análisis del Laboratorio
2. EQUIPO DE MEDICION:
• Batería 9 Vrms.
• 2 Fuentes de tensión directa
• Multímetro digital
•Transistor 2N 2222 (ECG 123)
• Resistencias: 1KΩ, 10KΩ
• Protobard
• Programa Multisim 2001
3. PROCEDIMIENTO:
A. Prueba de componentes y preparativos:
A.1 Mida y anote el valor real y nominal de todas las resistencias a emplear.
Elabore una tabla.
A.2 Verifique la condición correcta del transistor.
A.3 Identifique los terminales del transistor con el uso de instrumento
A.4Busque las características del Transistor y en la siguiente tabla anote el valor
Correspondiente a cada parámetro:
|Máxima corriente de colector ICMax | |
|Factor de amplificación o Ganancia HFE | |
|Máximavoltaje colector emisor VCEMax | |
|Máximo voltaje Base Emisor VBEMax | |
|Máxima Potencia Disipación PD ||
A.5 Monte el Circuito de la Figura
[pic]
Para el Circuito de la figura:
Ajuste el Voltaje de la fuente VCC para que el Voltaje Colector - Emisor (VCE), Tome cada uno de los valores indicados para cada valor de corriente IB, si es necesario ajuste el voltaje de la fuente VBB, para mantener IB constante, anotando el valor correspondiente de IC Corriente de Colector llenandola Tabla.
|VCE VOLTS |IB0 = 0µA |IB1=10µA |IB2=20µA |IB3=30µA |IB4=40µA |IB5=50µA |
| |IC0 = µA |IC1 = µA |IC2 = µA |IC3 = µA |IC4 = µA |IC5 = µA |
|1V |0 |914,158µa |1,964 MA |2,972 MA |3,976 MA |4,972 MA ||2V |0 |1,039 MA |2,25 MA |3,391 MA |4,563 MA |5,687 MA |
|3V |0 |1,158 MA |2,534 MA |3,841 MA |5,148 MA |6,443 MA |
|4V |0 |1,28 MA |2,797 MA |4,261 MA |5,697 MA |7,154 MA |
|5V...
NOMBRE ALUMNOS:____________________________________________________________
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El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base-, que, atendiendo a su fabricación, puede ser de dos tipos: NPN y PNP.La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del transistor; en un PNP la flecha apunta hacia dentro. Además, en funcionamiento normal, dicha flecha indica el sentido de la corriente que circula por el emisor del transistor.
El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de lacorriente que circula entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unión emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y
un diodo en inversa (unión base-colector), por el que, en principio, no debería circular corriente, pero que actúa como una estructura que recoge gran parte de la corriente quecircula por emisor base.
OBJETIVO
• Obtener y analizar las diferentes curvas características de un transistor:
Curva de entrada, de ganancia de corriente, de salida y la de transferencia.
• Determinar Diferentes aplicaciones del TR mediante el análisis del Laboratorio
2. EQUIPO DE MEDICION:
• Batería 9 Vrms.
• 2 Fuentes de tensión directa
• Multímetro digital
•Transistor 2N 2222 (ECG 123)
• Resistencias: 1KΩ, 10KΩ
• Protobard
• Programa Multisim 2001
3. PROCEDIMIENTO:
A. Prueba de componentes y preparativos:
A.1 Mida y anote el valor real y nominal de todas las resistencias a emplear.
Elabore una tabla.
A.2 Verifique la condición correcta del transistor.
A.3 Identifique los terminales del transistor con el uso de instrumento
A.4Busque las características del Transistor y en la siguiente tabla anote el valor
Correspondiente a cada parámetro:
|Máxima corriente de colector ICMax | |
|Factor de amplificación o Ganancia HFE | |
|Máximavoltaje colector emisor VCEMax | |
|Máximo voltaje Base Emisor VBEMax | |
|Máxima Potencia Disipación PD ||
A.5 Monte el Circuito de la Figura
[pic]
Para el Circuito de la figura:
Ajuste el Voltaje de la fuente VCC para que el Voltaje Colector - Emisor (VCE), Tome cada uno de los valores indicados para cada valor de corriente IB, si es necesario ajuste el voltaje de la fuente VBB, para mantener IB constante, anotando el valor correspondiente de IC Corriente de Colector llenandola Tabla.
|VCE VOLTS |IB0 = 0µA |IB1=10µA |IB2=20µA |IB3=30µA |IB4=40µA |IB5=50µA |
| |IC0 = µA |IC1 = µA |IC2 = µA |IC3 = µA |IC4 = µA |IC5 = µA |
|1V |0 |914,158µa |1,964 MA |2,972 MA |3,976 MA |4,972 MA ||2V |0 |1,039 MA |2,25 MA |3,391 MA |4,563 MA |5,687 MA |
|3V |0 |1,158 MA |2,534 MA |3,841 MA |5,148 MA |6,443 MA |
|4V |0 |1,28 MA |2,797 MA |4,261 MA |5,697 MA |7,154 MA |
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