Electronica

Tabla de contenido

1. Hoja de presentación

2. Introducción

3. Objetivos

4. Materiales y elementos

5. Metodología

6. Conclusiones

7. Especificaciones Técnicas de los elementos

8. Plano de circuito

ESCUELA COLOMBIANA DE CARRERAS INDUSTRIALES

MATERIA: ELECTRONICA 1

INFORME LABORATORIOS PRIMER CORTE

PRESENTADO POR : JULIAN RICARDO SERRANOCARDONA

FABIAN ESTEBAN MELO GIRALDO

JUAN CAMILO LOZADA VALENCIA

2009172022

2009172074

2009172015

2/MARZO /2010

INTRODUCCION

El propósito de este informe es demostrar el funcionamiento de los transistores en base a los datos obtenidos en los laboratorios que hicimos en clase.

Obtuvimos una tabla que nos muestra unos valores de corriente en base y colector dependiendo deun voltaje determinado.

También se va a demostrar la obtención de los parámetros híbridos del transistor por medio de la práctica.

Mencionamos los métodos que utilizamos para la obtención de los parámetros propuestos por el profesor.

OBJETIVOS

Los objetivos de este laboratorio es mirar como estamos ejecutando tecnica mente lo que aprendemos teóricamente en clase que fue como ejecutamossu valores hibridos del transistor y como hacemos su circuito correspondiente , la ejecución del transistor su funcionalidad cuando ejecutamos el transistor para mirar los valores hibridos del transistor de los valores hfe, hie, hre, hoe y hacer su grafica correspondiente con IB; el objetivo principal del laboratorio ejecutado es su funcionalidad del transistor de sus valoras hibridos yobservar como se comporta las graficas del transistor por ello tomamos varias mediciones y miramos su comportamiento.

MATERIALES Y ELEMENTOS

• Transistor 2n2222

• Protoboard

• Fuente de voltaje regulada

• Resistores (470 Ω ,1KΩ,220Ω,5kΩ

METODOLOGIA

En el laboratorio nos basamos en las mediciones de corrientes y voltajes en el transistor para realizar las curvas deltransistor (ib) y par hallar los parámetros híbridos de el transistor (hfe, hie, hre, hoe).

Para el primer laboratorio el objetivo era hallar los valores de ic, ib, vbb, y vbe. Variando Vcc a un valor determinado para que el ib fuera de 20 uA a 200 uA periódicamente de 20uA en 20uA.

Unas ves tomadas los valores se hacen las curvas del transistor.

Para el segundo laboratorio teníamosel mismo circuito pero se necesitaban los parámetros hibridos del transistor con la condición que vce era vcc ½ e ic tenia que ser igual a 10 MA al llegar a esto dependiendo el parámetro hibrido deseado se variaba un voltaje para el caso de hre se variaba vce .luego se tomaba un valor por encima y otro por debajo y se hacia la división de la variación de vbe sobre la variaciones vce.CONCLUSIONES

• Para los parámetros híbridos de el transistor son necesarios que algunos valores o de corriente se mantengan constantes como es el caso de hre en donde ib se mantiene constante.

• La variación del vce de 2 a 5 v no influje demasiado en la corriente de colector (ic) hasta que ib es de 120 uA.

• Las resistecias de colector eran menores a un 1 kΩ para que no seopusiera demasiado ala corriente de colector.

• La diferencia del vcv y el vbb tenia que ser superior al os 5 voltios para que se pudiera trabajar mas ampliamente.

ESPECIFICACIONES TECNICAS DE CADA ELEMENTO

El 2N2222, también identificado como PN2222, es un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general.

Sirve tanto para aplicaciones de amplificación como de conmutación.Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; por lo tanto, sólo puede tratar potencias bajas (no mayores de medio vatio). Puede trabajar a frecuencias medianamente altas.

Por todas esas razones, es un transistor de uso general, frecuentemente utilizados en aplicaciones de radio por los constructores aficionados de radios. Es uno de los transistores oficiales utilizados...