Electronica

INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL
Centro de Estudios Científicos y Tecnológicos. Numero 1
“Gonzalo Vazquez Vela”

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
“TRANSISTOR MOSFET

Profesor: Daniel Putito RamirezAlumno: Juancho Ramirez Cabeza Ancha


Grupo: 5IM8 Carrera: Sistemas Digitales

TRANSISTOR MOSFET
Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es eltransistor más utilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.
Un transistor MOSFET consiste en unsustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa dedieléctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje:
* Tipo nMOS: Sustrato de tipo p ydifusiones de tipo n.
* Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.
Las áreas de difusión se denominan fuente (source) y drenador (drain), y el conductor entre ellos es la puerta (gate).
Eltransistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:
Estado de corte
Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del sustrato, el MOSFET está en estado de no conducción: ninguna corriente fluyeentre fuente y drenador. También se llama mosfet a los aislados por juntura de dos componentes.
Conducción lineal
Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (nMOS) o positiva (pMOS), se creauna región de deplexión en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente, aparecerán portadores minoritarios (electrones en pMOS, huecos en nMOS) en la región dedeplexión que darán lugar a un canal de conducción. El transistor pasa entonces a estado de conducción, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y drenador dará lugar a una corriente. El...