electronica

REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACIÓN UNIVERSITARIA
UPTA FEDERICO BRITO FIGUEROA
MARACAY. EDO. ARAGUA







Profesora: Integrantes:
Ana BurgosPeñaloza, Francesca
CI: 19.554.801
Taller III Fase III Rodríguez, José
CI: 21.204.667



Maracay, Noviembre 2012
PRE - LABORATORIO

Introducción
Un amplificador recibe una señal de algún transductor decapacitación o de cualquier otra fuente de entrada y proporciona una versión más grande de la señal a cierto dispositivo de salida o a otra etapa de amplificación.
Un amplificador de voltaje amplificación de voltaje principalmente para incrementar voltaje de la señal de entrada, Por otro lado, los amplificadores de gran señal o de potencia, proporcionan principalmente potencia suficiente a unacarga de salida para activar una bocina o algún otro dispositivo.
Es decir un amplificador de potencia es aquel que, aparte de suministrar una mayor tensión, suministran también una mayor corriente (amplificación de tensión y amplificación de corriente y, por ende, amplificación de potencia).
1.- Efecto de ruptura:
La segunda ruptura ocurre en los transistores BJT y es un fenómeno queresulta debido a que la circulación de corriente por la unión entre emisor y base no es uniforme. Más bien, la densidad de corriente es mayor cerca de la periferia de la unión. Esta “aglomeración de corriente” de lugar a mayor disipación de potencia localizada y por lo tanto a calentamientos en lugares que reciben el nombre de “puntos calientes”. Como el calentamiento produce un aumento de corriente,puede ocurrir un gradiente térmico que provoque la destrucción de la unión semiconductora.

Este fenómeno no ocurre en los transistores MOSFET, estos tiene un coeficiente térmico negativo, conforme aumenta la temperatura del dispositivo, la corriente de drenado decrece, lo que reduce la disipación de potencia.
2.- Determine los límites de área de operación de los BJT Y MOSFET:
BJT: Laszonas o áreas de Operación Segura (SOA: Safe Operating Area) consisten en la representación, en diagramas IC-UCE de los puntos de trabajo que, bajo determinadas condiciones, no representan riesgo de daño para el dispositivo. Constituyen un método muy útil para resumir en forma compacta los valores máximos de tensión y corriente a que puede ser sometido un transistor bipolar.

Normalmente sedistinguen 2 tipos de SOA: La zona de operación segura con polarización de base directa (FBSOA: Forward- Bias Safe Operating Area) y la zona de operación segura con polarización de base inversa (RBSOA: Reverse- Bias Safe Operating Area).












MOSFET: De canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensión en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente(Source)










Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.


El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre eldrenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.


En el caso del MOSFET de canal P, se da una situación similar. Cuando se aplica una tensión negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atraídos hacia la compuerta y pasan a través...