Electronica

UNIDAD II: TRANSISTORES BIPOLAR

ELECTRÓNICA I

UNIDAD II: TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

6. ANÁLISIS DEL BJT CON MODELO HÍBRIDO
- El modelo híbrido o equivalente del transistor es un modelocircuital que combina impedancias y admitancias para describir al dispositivo, de allí el nombre de híbrido. - La obtención de los parámetros híbridos involucrados dentro del modelo se hace en base a lateoría de cuadripolos o redes de dos puertos.

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6. ANÁLISIS DEL BJT CON MODELO HÍBRIDO

Figura 2: Redes de dos puertos

Las variablesinvolucradas dentro de la red son vi, ii, vo e io y los parámetros que relacionan estas variables son los parámetros híbridos, h.

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6. ANÁLISIS DELBJT CON MODELO HÍBRIDO

Una analogía del BJT con la red de dos puertos general resulta en:

Ecuación 1 Ecuación 2

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6. ANÁLISIS DEL BJTCON MODELO HÍBRIDO
El cálculo de los parámetros híbridos (h) se hace a partir del manejo de las variables • Si vCE=0 (salida en corto) en la ecuación 1, se tiene que:

h11

vBE iB

Este parámetrohíbrido se mide en y se conoce como impedancia de entrada a corto circuito, el subíndice 11 en h11 indica que el parámetro circuito se midió en las terminales de entrada y en configuración emisorcomún de BJT recibe el nombre de hie.

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6. ANÁLISIS DEL BJT CON MODELO HÍBRIDO
De la ecuación 2, se tiene:

h21

iC iB

El cual es unparámetro híbrido sin unidades conocido como la relación de transferencia directa entre la corriente de salida y la corriente de entrada a corto circuito, el subíndice 21 en h21 indica un parámetro decircuito transferencia, en el transistor BJT en configuración emisor común recibe el nombre de hfe.

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