electronica

República Bolivariana De Venezuela
Ministerio del Poder Popular Para la Defensa
“Universidad Nacional Experimental De las Fuerzas Armada Bolivariana
San Tome –AnzoáteguiLaboratorio de Electrónica I




BJT (Transistor de Unión Bipolar) es un dispositivo de tres terminales en el que las características v-i del puerto de salida están controladas porla corriente que fluye hacia dentro del puerto de entrada. Esta ultima propiedad difiere de la del transmisor de efecto de campo, en la cual la variable de control es un volteje.
El BJT es undispositivo semiconductor de tres capas que consta ya sea de dos capas de material tipo n y una tipo p, o bien sea de dos capas tipo p y una de tipo n. Al primero se le denomina transistor npn mientras queal segundo transistor pnp. Los dispositivos npn y pnp tienen características prácticamente idénticas, a excepción de polaridades distintas en las variables de los terminales.





Esta figuranos plantea de manera grafica las tres capas del transistor. La capa emisor se encuentra fuertemente dopada, la de la base ligeramente dopada y la del colector sólo muy poco dopada. Las capasexteriores tiene un espesor mucho mayor que los materiales tipo p o tipo n centrales.



Características del BJT
NPN

Desde un punto de vista de circuito el puerto de entrada está formado por lasterminales base (B) y el emisor (E); el puerto de salida por las terminales del colector (C) y emisor.






El símbolo de circuito y la familia de curvas características v-i para un BJT npn.
(b)Grafica de la corriente de base en función de voltaje base-emisor. (c) Grafica de la corriente de colector en función del voltaje colector-emisor, siendo la corriente base la variable de control.PNP

Luego de haber planteado las características de un BJT npn, al momento de plantear las características del BJT pnp serán completamente análogas. Este dispositivo es fabricado a partir de un...