Electronica

Ya hemos estudiado el principio de funcionamiento de los transistores bipolares PNP y NPN, sin embargo debemos ahora repasar algunas de sus propiedades, las cuales son muy diferentes a las de los transistores de efecto de campo, comunmente conocidos como FETs.

El transistor bipolar, el cual está compuesto por 3 capas de material semiconductor, lo podemos comparar con una válvula mecánica paracontrolar líquidos, por ejemplo, la del lavamanos de la casa, pero a la que le hemos hecho una ligera modificación en la palanca deabertura, la cual ha sido cambiada por una pequeña rueda pelton ( rueda bordeada de cucharones ) que la hace girar cuando recibe el impulso de una corriente de agua: A partir de este momento el flujo principal entre la entrada y salida de corriente de la válvula(entreemisor y colector del transistor) puede ser fácilmente manejado con un pequeño chorro de corriente aplicado a las paletas del mecanismo rotgatorio de apertura)corriente de polarización de base del transistor)

Ahora imaginemos a una persona regando el jardín de su casa con una manguera, a la cual le puede graduar la salida del agua con la llave, esto lo podemos relacionar con el funcionamientodel transistor bipolar. Sin embargo, también se puede controlar el chorro de otra forma: Oprimiendo la manguera hasta cerrar la salida de agua, tal situación se puede comparar con el principio de funcionamiento de un transistor FET, el cual controla el paso de corriente entre el terminal surtidor(source) y el terminal drenador (drain) mediante un campo electrostático aplicado a un electrodocircular envolvente, terminal compuerta(gate), el cual se expande o contrae proporcionalmente al voltaje aplicado, para ensanchar o reducir el conducto imaginario que se forma en el material semiconductor empleado como canal central del cilindro metálico o semiconductor de la compuerta de control. Las muchas o pocas cargas negativas se dispersan por el n&uoacute;cleo en una distribución, que rechazanel paso de las cargas eléctricas de igual signo que conforman la corriente principal entre el surtidor y el drenaje, por el principio de que cargas eléctricas iguales se repelen, y forzando la corriente a circular sólo por el centro del n&uoacute;cleo semiconductor, el cual como se puede deducir es de solamente un tipo de material semiconductor n o p, este factor de por si diferencia encierta medida a un FET de un transistor bipolar.

Por lo que, un FET ( Field-effect transistor ), es un dispositivo amplificador en el cual los portadores de corriente(electrones) son inyectados a un terminal( surtidor, source ) y pasan a otro( drenaje ) a través de un canal semiconductor cuya resistividad depende de una región de estrangulamiento(depletion region) motivada por la acción repelentedel campo eléctrico conectado al terminal de control(Compuerta, gate). La region de estrangulamiento(campo de fuerza de los portadores minoritarios) se produce al rodear el canal con un materialsemiconductor de conductividad opuesta y polarizando inversamente la juntura PN resultante, mediante el terminal gate.

La profundidad de la región de estrangulamiento depende de la magnitud de lapolarización inversa. como en la polarización inversa es mínima la corriente circulante por la juntura, el dispositivo se comporta como una válvula al vacío.

Un FET se parece en varias cosas a una válvula amplificadora. La válvula(Ya no se usan en equipos electrónicos), tiene alta impedancia de entrada(necesita señales con muy poca corriente), similar a la de un FET. los transistores bipolares tienenbaja impedancia de entrada(la señal de control opera en base a su corriente, sin importar mayormente sus variaciones de tensión). La ganancia de las válvulas se mide en micromhos(Gm). La ganancia de un transistor se mide en beta, y la de un FET en micromhos, tal como en las válvulas. 

TIPOS DE FETs.
Segun sea la construcción del electrodo de control(gate), se conocen principalmente dos clases...