Electronica

DIODO SCHOTTKY
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo, aunque en inglés serefieren a ella como "knee", o sea, de rodilla).
SIMBOLO

CONSTRUCCION
El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unión convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos normales.
Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si el cuerposemiconductor está dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones móviles) desempeñarán un papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operación del dispositivo será mucho más rápida

FUNCIONAMIENTO
Cuando se realiza unaensambladura entre una terminal metálica y un material semiconductor, el contacto tiene, típicamente, un comportamiento óhmico cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una región semiconductora con la densidad del dopante relativamente
baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando también a tenerun efecto de rectificación. Un diodo Schottky, se forma colocando una película metálica en contacto directo con un semiconductor. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más grande de los portadores en este tipo de material. La parte metálica será el ánodo y el semiconductor, el cátodo.

OPERACIÓN
Cuando el diodo shottky funciona de modo directo, lacorriente es debida a los electrones que se mueven desde el silicio de tipo n a traves del metal, el tiempo de recombinacion es muy pequeño, normalmente del orden de 10ps. Esto es carios ordenes de magnitud menor que los correspondientes a la utilizacion de diodos de silicio pn es por eso que generalmente se utilizan en aplicaciones de conmitacion de alta velocidad.
APLICACIONES
- En fuentes debaja tensión en la cuales las caídas en los rectificadores son significativas.
- Circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo permite poco gasto de energía.
- Variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el transistor del freno y este nopierda sus facultades.
- Variadores de alta gama para que la
corriente que vuelve desde el motor al
variador no pase por el transistor del
freno y este no pierda sus facultades.
- El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lógica TTL. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutación entre los transistores sean mucho menores puesto que son mássuperficiales y de menor tamaño por lo que se da una mejora en la relación velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia.
- TTL-S (schottky) : Serie rápida (usa diodos Schottky)
- TTL-AS (advanced schottky) : Versión mejorada de la serie anterior
- TTL-LS (lowpower schottky) : Combinación de las tecnologías L y S (es la familia más extendida)
- TTL-ALS (advanced low power schottky) : Versión mejorada de la serie AS
- TTL-F (FAST : fairchild advanced schottky)
- TTL-AF (advanced FAST) : Versión

DIODO VARICAP
Diodo varicap. El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en el fenómeno que...