Electronica

Páginas: 4 (896 palabras) Publicado: 21 de junio de 2012
TEMA: Diseñar un amplificador un JFET 2N5434 Y 2N3819
OBJETIVO:
* Diseñar un Amplificador de señal utilizando un JFET 2N5434 con una Ganancia del Sistema de 6.4
* Diseñar un Amplificador deseñal utilizando un JFET 2N3819 con una Ganancia del Sistema de 6.4
*
MATERIALES:
* 2N5434
* 4 Resistencias
* 2 Capacitores de 10uF
* 1 Capacitor de 1000uF
MARCO TEORICO:
Laconstrucción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente:

Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas enmaterial tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto óhmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo material se conectapor medio de contacto óhmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). Portanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En ausencia de cualquiera de los potencialesaplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarización.

2N3454
2N3454
Según sea el orden de los materiales que forman las junturas, existen los transistores tipo NPN ó PNP, loscuales, en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una enorme cantidad de circuitos para diversos fines, ya que se complementan pues funcionan con sentidos opuestos de circulación de corriente.En la actualidad, existen una gran variedad de transistores, de efecto de campo o FET (el electrodo de control actúa por medio de campo eléctrico), los tipo unijuntura, los MOS o de óxido metálico(variante de los FET), y otras variaciones como los VMOS (usados para controlar grandes potencias y tensiones), etc.
DESARROLLO

PRIMER METODO
* Medir con un amperímetro los valores IDSS y Vp...
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