Electronica
Departamento de Electrónica
INFORME FINAL
Exp. Nº3: Análisis de transistores
Fecha [31 de octubre, 2007]
Versión [versión actual]
Grupo [501]
Integrantes Edward Alvarado
del grupo Sebastián Pizarro
Guillermo Valín
Asignatura Laboratorio Electrónica A (ELO-107)
Profesor Daniel Rodriguez Sch.Profesor Juan Pablo Hernández
Profesor Alvaro Aguirre
Índice de Materias
Lista de Tablas 2
1 Arquitectura de la red eléctrica 3
1.1 Circuitos 3
1.2 Mediciones 5
1.3 Fundamentos teóricos de las mediciones realizadas 5
1.4 Resultados de la medición y contraste con resultados teóricos 6
2 Conclusiones 6
Lista de Tablas
Tabla 1: Medicionesrealizadas 5
Arquitectura de la red eléctrica
Se muestran los esquemáticos de armados para el circuito usando T1 y T2 respectivamente.
1 Circuitos
[pic]
[pic]
1.1.1. Cálculo R1 y R2. Si está conectada la configuración 1:
R1:
Vfmedio=Icmedio-max*R1+Icmedio-max*P1+0,7
Sea el peor caso: P1=0;Icmedio-max= 100 [uA]; Vfmedio=12 [V]
12 = 100 *10^-6 * R1 + 100 *10^-6 * 0 + 0,7
(12 – 0,7) / 100*10 ^-6 = 113K Ohms
R2:
Vfmax=Icmax*R2+0.2
Vfmax=12*Sqrt(2);Icmax=20 [mA]
(12*Sqrt(2)-0.2)/ (20*10^-3)=838 Ohms
R1 = 113K Ohms
R2 = 838 Ohms
Dado que no existe todo el rango real para las resistencias, se ajustan según el siguiente criterio:
• Lacorriente de base puede ser menor, por tanto R1 puede ser mayor que 113 [kohm]
• La caida de voltaje en R2 puede ser menor entonces, R2 puede ser menor que 838 [ohms]
1.1.2. Cálculo R1 y R2. Si está conectada la configuración 2:
R1:
Vfmedio=Icmedio-max*R1+Icmedio-max*P1+0,2
Sea el peor caso: P1=0; Icmedio-max= 20 [mA]; Vfmedio=12 [V]
12 = 20 *10^-3 * R1 + 20 *10^-3 * 0 + 0,2(12 – 0,2) / 20*10 ^-2 = 590 Ohm
R2:
Vfmax=Icmax*R2+0.7
Vfmax=12*Sqrt(2);Icmax=100 [uA]
(12*Sqrt(2)-0.7)/ (10^-4)=162K Ohm
R1 = 590 Ohms
R2 = 162K Ohms
Dado que no existe todo el rango real para las resistencias, se ajustan según el siguiente criterio:
• La corriente de base puede ser menor, por tanto R1 puede ser mayor que 620 [kohm]
•La caida de voltaje en R2 puede ser menor entonces, R2 puede ser menor que 590 [ohms]
2 Mediciones
La Tabla 1 muestra las mediciones que se hicieron sobre la de la red eléctrica para determinar el comportamiento (polarización) del transistor NPN.
Tabla 1: Mediciones realizadas
|Medición |Propósito|Sección |
|VR2 |Calcular corriente de base en T2. |1.3.1 |
| |Calcular corriente de colector en T1 | |
|VR1 |Calcular corriente de colector T2|1.3.2 |
| |Calcular corriente de base T1 | |
|Vce |Voltaje colector-emisor |1.3.3 |
|Vbe |Voltaje base-emisor|1.3.4 |
|V1 |Voltaje rectificado respecto a tierra |1.3.5 |
|V1’ |Voltaje en V1 con cortocircuito en vez de D3 |1.3.5 |
|V2 |Voltaje filtrado respecto a tierra |1.3.6...
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