Electronica

Páginas: 8 (1780 palabras) Publicado: 10 de septiembre de 2012
Universidad Técnica Federico Santa María
Departamento de Electrónica




INFORME FINAL

Exp. Nº3: Análisis de transistores



Fecha [31 de octubre, 2007]


Versión [versión actual]


Grupo [501]


Integrantes Edward Alvarado

del grupo Sebastián Pizarro

Guillermo Valín




Asignatura Laboratorio Electrónica A (ELO-107)


Profesor Daniel Rodriguez Sch.Profesor Juan Pablo Hernández


Profesor Alvaro Aguirre


Índice de Materias


Lista de Tablas 2


1 Arquitectura de la red eléctrica 3

1.1 Circuitos 3
1.2 Mediciones 5
1.3 Fundamentos teóricos de las mediciones realizadas 5
1.4 Resultados de la medición y contraste con resultados teóricos 6

2 Conclusiones 6







Lista de Tablas

Tabla 1: Medicionesrealizadas 5















Arquitectura de la red eléctrica


Se muestran los esquemáticos de armados para el circuito usando T1 y T2 respectivamente.


1 Circuitos






[pic]


[pic]



1.1.1. Cálculo R1 y R2. Si está conectada la configuración 1:
R1:
Vfmedio=Icmedio-max*R1+Icmedio-max*P1+0,7
Sea el peor caso: P1=0;Icmedio-max= 100 [uA]; Vfmedio=12 [V]
12 = 100 *10^-6 * R1 + 100 *10^-6 * 0 + 0,7
(12 – 0,7) / 100*10 ^-6 = 113K Ohms

R2:
Vfmax=Icmax*R2+0.2
Vfmax=12*Sqrt(2);Icmax=20 [mA]
(12*Sqrt(2)-0.2)/ (20*10^-3)=838 Ohms


R1 = 113K Ohms
R2 = 838 Ohms


Dado que no existe todo el rango real para las resistencias, se ajustan según el siguiente criterio:
• Lacorriente de base puede ser menor, por tanto R1 puede ser mayor que 113 [kohm]
• La caida de voltaje en R2 puede ser menor entonces, R2 puede ser menor que 838 [ohms]

1.1.2. Cálculo R1 y R2. Si está conectada la configuración 2:
R1:
Vfmedio=Icmedio-max*R1+Icmedio-max*P1+0,2
Sea el peor caso: P1=0; Icmedio-max= 20 [mA]; Vfmedio=12 [V]
12 = 20 *10^-3 * R1 + 20 *10^-3 * 0 + 0,2(12 – 0,2) / 20*10 ^-2 = 590 Ohm

R2:
Vfmax=Icmax*R2+0.7
Vfmax=12*Sqrt(2);Icmax=100 [uA]
(12*Sqrt(2)-0.7)/ (10^-4)=162K Ohm

R1 = 590 Ohms
R2 = 162K Ohms


Dado que no existe todo el rango real para las resistencias, se ajustan según el siguiente criterio:
• La corriente de base puede ser menor, por tanto R1 puede ser mayor que 620 [kohm]
•La caida de voltaje en R2 puede ser menor entonces, R2 puede ser menor que 590 [ohms]










2 Mediciones


La Tabla 1 muestra las mediciones que se hicieron sobre la de la red eléctrica para determinar el comportamiento (polarización) del transistor NPN.


Tabla 1: Mediciones realizadas


|Medición |Propósito|Sección |
|VR2 |Calcular corriente de base en T2. |1.3.1 |
| |Calcular corriente de colector en T1 | |
|VR1 |Calcular corriente de colector T2|1.3.2 |
| |Calcular corriente de base T1 | |
|Vce |Voltaje colector-emisor |1.3.3 |
|Vbe |Voltaje base-emisor|1.3.4 |
|V1 |Voltaje rectificado respecto a tierra |1.3.5 |
|V1’ |Voltaje en V1 con cortocircuito en vez de D3 |1.3.5 |
|V2 |Voltaje filtrado respecto a tierra |1.3.6...
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