Electronica

MARCO TEORICO


Qué son los Transistores:

Definición 

Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o más electrodos. Los tres electrodos principales son emisor, colector y base. La conducción entre estos electrodos se realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el sicilio son los materiales más frecuentemente utilizados para la fabricación de los elementossemiconductores. Los transistores pueden efectuar prácticamente todas las funciones de los antiguos tubos electrónicos, incluyendo la ampliación y la rectificación, con muchísimas ventajas. 
Elementos de un transistor o transistores:
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n.al primero se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo transistor PNP.
 EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor es la equivalente al CATODO en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a la REJILLA cátodo en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
Ventajas de los  transistores electrónicos
 El consumo de energía es sensiblemente bajo.
 El tamaño y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vacío.
 Una vida larga útil (muchas horas de servicio).
 Puede permanecermucho tiempo en deposito (almacenamiento).
 No necesita tiempo de calentamiento.
 Resistencia mecánica elevada.
 Los transistores pueden reproducir otros fenómenos, como la fotosensibilidad.


Tipos de  Transistores
Transistores Bipolares de unión, BJT. ( PNP o NPN )
- BJT, de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor). 
El término bipolar refleja elhecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polarizado de forma opuesta.


Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET, MOSFET )
JFET, De efecto de campo de unión (JFET): También llamado transistor unipolar, fué el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. Enlos terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica.
- MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor.
- MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y la otra para sernegativa, y en el medio, actuando como una puerta, un electrodo de metal.
Transistores HBT y HEMT.                                         
Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight Electrón Mobility Transistor (De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinación de diferentes componentes,con distinto salto de banda prohibida. 







Como probar un transistor
Para probar transistores hay que analizar un circuito equivalente de este, en el que se puede utilizar lo aprendido al probar diodos. Ver la siguiente figura.

Se puede ver que los circuitos equivalentes de los transistores bipolares NPN y PNP están compuestos por diodos y se puede seguir la misma técnica que sesigue al probar diodos comunes. La prueba se realiza entre el terminal de la base (B) y el terminal E y C. Los métodos a seguir en el transistor  NPN y PNP son opuestos. Al igual que con el diodo si uno de estos "diodos del equivalentes del transistor" no funcionan cono se espera hay que cambiar el transistor.

El Transistor Bipolar o BJT

Transistor NPN

Transistor PNP

El transistor...