Electronica

PARAMETROS HIBRIDOS CON FUENTES VARIBLES





Electrónica 1 y Laboratorio





Presentado A:
Ricardo Sánchez


Presentado Por:
Michelle Stephanie González
2011276012

Milton Yair Páez
2011276038




Escuela Colombiana de Carreras Industriales ECCI
Electrónica





Bogotá D.C 10 Octubre de 2012Tabla Contenido.





Pag



-Presentación…… 3

-Planteamiento del problema….. 3

-Objetivos…… 4

-Elementos …… 5

-Metodologia…. 7

-Marco teorico…. 8

-Desarrollo de la práctica…. 15

-Análisis…. 17























PRESENTACION.

Investigaremos el efectoque sufre el transistor 2n2222 siendo alimentado con una fuente dual variable teniendo en cuenta que el transistor esta trabajando en región activa
teniendo los datos del circuito correspondiente
Hallando los parámetros híbridos del transistor




PLANTEAMIENTO.

El análisis a pequeña señal consiste en determinar la
ganancia del circuito (corriente y voltaje) en conjunto con
laimpedancia de entrada y la de salida.

Para realizar el análisis se deben usar los modelos a pequeña señal de los dispositivos, lo cuales consisten en una
red de dos puertas: Fuente de corriente controlada por corriente (BJT) y una fuente de voltaje controlada por voltaje. Ambas descritas en función de los parámetros híbridos y respectivamente. Como el análisis es en C.A, se anulan las fuentes de CC,se remplazan los modelos correspondientes y se determinan los parámetros mencionados.














OBJETIVOS

Considerando los parámetros híbridos, esto es calculando a las ganancias de corriente y voltaje, ya que ahora son los cuales debemos de respetar y para ello se estudiaran las formulas correspondientes, en modelo completo o simplificado aplicando sus condiciones.Hacer el diseño correspondiente de un circuito que este en región activa respetando que QDC sea igual a 0.5 .

Diseñar un circuito con polarización ideal ayudados con los datos de curvas características del transistor obteniendo datos de medición para encontrar los parámetros del transistor para así reconocer los cambios de los datos con la medición de las diferentes situacionesMateriales y Elementos.

-Protoboard.

-Transistor BJT 2N 2222.

-2 Multímetros

- 2 Resistencias (1 k Ohm, 56 K Ohm.)

- Fuente de voltaje

- Conectores

- Osciloscopio Fluke







Metodologia

Lo que utilizamos para llevar a cabo la practica para la practica necesitaremos un transistor 2n2222 conectando en el una resistencia de colector de 1komh y una resistencia de base de 56k teniendo en cuenta que estamos trabajando con una fuente dual variable conectaremos en serie la resistencia colector con la fuente que llamaremos Vcc que en este caso seria de 12v y por otro lado la resistencia base la conectaremos en serie con la otra parte de la fuente a la que llamaremos Vbb que en este caso es de 2v DC.

Tomando los datoscorrespondientes damos inicio a la práctica.



Marco Teórico

Trabajando con el transistor 2N 2222 podemos definir que es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad npn, construido mediante el proceso de base epitaxial y designado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias ytrabajar a frecuencias medianamente altas. Es fabricado en diferentes formatos, los más comunes son los TO-92,TO-18,SOT-23, y SOT-223.

Tiene estas características.

▪ Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo)
▪ Corriente de colector constante 800mA (Ic)
▪ Potencia total disipada 500mW(Pd)
▪ Ganancia o hfe 35 mínima
▪ Frecuencia de trabajo 250 Mhz (Ft)
▪ Encapsulado de metal...