electronica

Páginas: 2 (448 palabras) Publicado: 7 de noviembre de 2014
TALLER
1. ¿Cuál es el semiconductor cuyo uso esta mas extendido, ¿y porque?
2. ¿Los átomos de silicio se combinan formando un patrón ordenado que se llaman? ¿y Por qué?
3. ¿Cómo se llama la uniónde un electrón libre y de un hueco?
4. ¿El tiempo transcurrido entre la creación de un hueco y su desaparición se denomina? ¿Por qué?
5. ¿Cómo se puede llamar a un electrón de valencia de unconductor?
6. ¿Cuántos tipos de flujo tiene un conductor? ¿Por qué?
7. ¿cuantos tipos de flujo tiene un semiconductor? ¿Por qué?
8. ¿Cómo fluye los huecos de un semiconductor cuando se le aplica unatensión o voltaje?
9. ¿Los huecos de un semiconductor como se comportan?
10. ¿Cuántos electrones libres tiene un semiconductor tipo P?
11. ¿Cuando se aplica una fuente de tensión externa a unsemiconductor tipo P, si el extremo izquierdo del cristal es positivo como fluyen los portadores mayoritarios?
12. ¿Cuál de los siguientes términos describe a un semiconductor tipo n?
13. ¿Un semiconductortipo P además de huecos contiene?
14. ¿Cuál de los siguientes términos describe a un semiconductor de tipo P:
A. Neutro.
B. Positivamente cargado.
C. Negativamente cargado.
D. Tiene muchoselectrones libres.
15. ¿Qué es lo que genera una zona de deplexión:
A. Dopaje.
B. Recombinación.
C. Barrera de potencial.
D. Iones.
16. Describir cual es la barrera de potencial de un diodo de silicioa temperatura ambiente.
17. La tensión a la que se produce el efecto avalancha se denomina:
A. Barrera de potencial.
B. Zona de deflexión.
C. Tensión de codo.
D. Tensión de disrupción.
18. Labarrera de energía de la unión de un diodo PN disminuirá cuando el diodo:
A. Este polarizado en directa.
B. Se fabrique.
C. Este polarizado en inversa.
D. No conduzca.
19. Cuando un diodo estepolarizado en directa la recombinación de electrones libres y huecos puede producir:
A. Calor.
B. Luz.
C. Radiación.
D. Todas las anteriores.
20. Una tensión inversa de 10 voltios cae en un...
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